已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| 垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利 专利号: CN110071424A, 申请日期: 2019-07-30, 公开日期: 2019-07-30 作者: 郭炳磊; 王群; 葛永晖; 吕蒙普; 胡加辉
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 一种电流导引型VCSEL 专利 专利号: CN208272356U, 申请日期: 2018-12-21, 公开日期: 2018-12-21 作者: 王智勇; 周广正; 李颖; 兰天
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 一种电流导引型VCSEL及其制备方法 专利 专利号: CN108539577A, 申请日期: 2018-09-14, 公开日期: 2018-09-14 作者: 王智勇; 周广正; 李颖; 兰天
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 专利 专利号: JP2016213486A, 申请日期: 2016-12-15, 公开日期: 2016-12-15 作者: 近藤 崇
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Quantum cascade laser element 专利 专利号: EP2747221A1, 申请日期: 2014-06-25, 公开日期: 2014-06-25 作者: HIRAYAMA, HIDEKI; LIN, TSUNG-TSE
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: 102185002A, 申请日期: 2013-08-07, 公开日期: 2014-01-20 作者: 李海军 ; 付凯![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2014/01/20 |
| 一种半导体量子点子能级发光器件 专利 专利号: CN102957093A, 申请日期: 2013-03-06, 公开日期: 2013-03-06 作者: 刘惠春; 傅爱兵
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构 专利 专利号: CN200710178321.0, 申请日期: 2010-11-03, 公开日期: 2009-06-03 作者: 徐静波 ; 张海英 ; 叶甜春![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2010/11/26 |
| InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法 专利 专利号: CN101685942A, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31 作者: 劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 刘成; 曹萌
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Vertical cavity surface emitting laser diode having a high reflective distributed Bragg reflector 专利 专利号: US7330495, 申请日期: 2008-02-12, 公开日期: 2008-02-12 作者: TAKAHASHI, MITSUO
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/24 |