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基于Rb原子420nm跃迁的超窄线宽原子滤光器 专利
专利号: CN106444097A, 申请日期: 2017-02-22, 公开日期: 2017-02-22
作者:  毕岗;  康佳;  陈景标;  凌俐
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照射光学系统以及包括其的三维图像获取装置 专利
专利号: CN102566047B, 申请日期: 2016-12-14, 公开日期: 2016-12-14
作者:  朴勇和;  A.施兰科夫;  柳长雨;  O.罗兹科夫
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用于在吸收光谱法中修正入射光波动的方法和系统 专利
专利号: CN104949929A, 申请日期: 2015-09-30, 公开日期: 2015-09-30
作者:  理查德·P·科瓦契奇;  巴赫拉姆·阿里扎德;  伊恩·C·加斯金;  詹姆斯·D·霍比;  马丁·洛佩斯
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半导体装置的制造方法、半导体装置及其制造系统 专利
专利号: CN104779519A, 申请日期: 2015-07-15, 公开日期: 2015-07-15
作者:  森田大介;  河原弘幸;  木村晋治
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一种提高Nd:YAG被动调Q激光器输出特性的方法及装置 专利
专利号: CN103414101A, 申请日期: 2013-11-27, 公开日期: 2013-11-27
作者:  李强;  孙哲;  陈欣;  雷訇;  姜梦华
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照射光学系统以及包括其的三维图像获取装置 专利
专利号: CN102566047A, 申请日期: 2012-07-11, 公开日期: 2012-07-11
作者:  朴勇和;  A.施兰科夫;  柳长雨;  O.罗兹科夫
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光电子半导体器件 专利
专利号: CN102099918A, 申请日期: 2011-06-15, 公开日期: 2011-06-15
作者:  J・奥尔松;  L・萨米尔松
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饱和型磷光体固态发射器 专利
专利号: CN100405620C, 申请日期: 2008-07-23, 公开日期: 2008-07-23
作者:  B・科勒;  付艳坤;  J・斯如托;  J・艾贝森;  J・巴拉塞
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2μm键合单块非平面单纵模激光器 专利
专利号: CN200959480Y, 申请日期: 2007-10-10, 公开日期: 2007-10-10
作者:  高春清;  高明伟;  林志锋;  张秀勇;  李家泽
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Q-调制半导体激光器 专利
专利号: CN200953431Y, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2007-09-26
作者:  何建军
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