| 饱和型磷光体固态发射器 | |
| B・科勒; 付艳坤; J・斯如托; J・艾贝森; J・巴拉塞 | |
| 2008-07-23 | |
| 著作权人 | 克利公司 |
| 专利号 | CN100405620C |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 饱和型磷光体固态发射器 |
| 英文摘要 | 揭示了一种高效高产率的发射器组件，它在各批之间呈现出有限的波长变化，并在工作中有一致的波长和发射特性。根据本发明发射器组件的一实施例，包括半导体发射器和变换材料。设置变换材料以基本上吸收全部从半导体发射器发射的光，并以一种或多种不同的光的波长谱重新发射光。还设置该变换材料，使得当所述重新发射的光从所述发射器组件发射时，没有过剩的变换材料阻挡所述重新发射的光，所述发射器组件以所述一种或多种波长谱从所述变换材料发光。半导体发射器较佳为发光二极管(LED)或激光二极管。 |
| 公开日期 | 2008-07-23 |
| 申请日期 | 2003-06-12 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45156]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 克利公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | B・科勒,付艳坤,J・斯如托,等. 饱和型磷光体固态发射器. CN100405620C. 2008-07-23. |
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