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結晶成長方法 专利
专利号: JP1995019783B2, 申请日期: 1995-03-06, 公开日期: 1995-03-06
作者:  大川 和宏;  三露 常男;  山崎 攻
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低抵抗n—型硫化亜鉛薄膜の製造方法 专利
专利号: JP1994097651B2, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 1994-11-30
作者:  伊藤 直行;  下林 隆;  水本 照之;  岡本 則久
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Strained layer InP/InGaAs quantum well laser 专利
专利号: US5257276, 申请日期: 1993-10-26, 公开日期: 1993-10-26
作者:  FOROUHAR, SIAMAK;  LARSSON, ANDERS G.;  KSENDZOV, ALEXANDER;  LANG, ROBERT J.
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- 专利
专利号: JP1987046079B2, 申请日期: 1987-09-30, 公开日期: 1987-09-30
作者:  SHINOHARA KOJI;  NISHIJIMA YOSHITO;  FUKUDA HIROKAZU;  KAWABATA YOSHIO;  YAMAMOTO KOSAKU
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