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Light emitting element structure using nitride bulk single crystal layer 专利
专利号: AU2002363682A1, 申请日期: 2003-05-26, 公开日期: 2003-05-26
作者:  DORADZINSKI, ROMAN;  DWILINSKI, ROBERT;  GARCZYNSKI, JERZY;  KANBARA, YASUO;  SIERZPUTOWSKI, LESZEK
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System and method for write location defect compensation in computer storage media 专利
专利号: US6052348, 申请日期: 2000-04-18, 公开日期: 2000-04-18
作者:  BELSER, KARL A.;  LI, AIHUA EDWARD
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Apparatus and method for optical heterodyne conversion 专利
专利号: US5663639, 申请日期: 1997-09-02, 公开日期: 1997-09-02
作者:  BROWN, ELLIOTT R.;  SMITH, FRANK W.
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半導体レーザ 专利
专利号: JP2687694B2, 申请日期: 1997-08-22, 公开日期: 1997-12-08
作者:  深谷 一夫
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Compound semiconductor light emitting element 专利
专利号: JP1992063479A, 申请日期: 1992-02-28, 公开日期: 1992-02-28
作者:  KITAGAWA MASAHIKO;  TOMOMURA YOSHITAKA;  NAKANISHI KENJI
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Semiconductor light emitting element 专利
专利号: JP1992002178A, 申请日期: 1992-01-07, 公开日期: 1992-01-07
作者:  SAKAI KAZUO;  NISHIMURA KIMISUKE
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Crystal growth method on roughened substrate 专利
专利号: JP1991076218A, 申请日期: 1991-04-02, 公开日期: 1991-04-02
作者:  NARUI HIRONOBU;  MORI YOSHIFUMI;  HIRATA SHOJI
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GaAs/AlGaAs heterostructure laser containing indium 专利
专利号: US4984242, 申请日期: 1991-01-08, 公开日期: 1991-01-08
作者:  SCIFRES, DONALD R.;  WELCH, DAVID F.;  ENDRIZ, JOHN;  STREIFER, WILLIAM
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Manufacture of semiconductor quantum box structure 专利
专利号: JP1990031479A, 申请日期: 1990-02-01, 公开日期: 1990-02-01
作者:  TAKANO SHINJI
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Manufacture of semiconductor element 专利
专利号: JP1984181083A, 申请日期: 1984-10-15, 公开日期: 1984-10-15
作者:  JINDOU MASAAKI
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