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| 大高宽比纳米级金属结构的制作方法 专利 专利号: CN201610407163.0, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-11-09 作者: 李海亮; 史丽娜; 牛洁斌; 王冠亚; 谢常青 收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/03/06 |
| 一种绝缘栅双极晶体管 专利 专利号: CN201721830403.4, 申请日期: 2018-07-17, 作者: 陆江; 刘海南; 蔡小五; 卜建辉; 罗家俊 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/03/01 |
| 集成电路的版图设计方法、版图设计系统和制作方法 专利 专利号: CN201510416102.6, 申请日期: 2018-07-03, 公开日期: 2015-09-16 作者: 孙建伟; 陈岚; 王海永 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/03/06 |
| 测量MOS器件侧墙厚度相关参数的结构和方法 专利 专利号: CN201310286669.7, 申请日期: 2017-02-08, 公开日期: 2015-01-14 作者: 梁擎擎; 钟汇才; 朱慧珑; 叶甜春 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2018/04/02 |
| 填充冗余金属的方法及冗余金属填充模式查找表建立方法 专利 专利号: CN201110364853.X, 申请日期: 2016-01-20, 公开日期: 2013-05-22 作者: 叶甜春; 陈岚; 马天宇 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2017/05/27 |
| 阻变存储器的制造方法 专利 专利号: CN201210058676.7, 申请日期: 2015-07-22, 公开日期: 2013-09-18 作者: 胡媛; 张满红; 霍宗亮; 吕杭炳; 刘琦 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2016/09/12 |
| MOS器件的建模方法 专利 专利号: CN201210212516.3, 申请日期: 2014-11-26, 公开日期: 2012-10-03 作者: 卜建辉; 罗家俊; 韩郑生; 毕津顺 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2015/05/12 |
| 器件性能预测方法及器件结构优化方法 专利 专利号: CN201110005923.2, 申请日期: 2014-10-29, 公开日期: 2012-07-18 作者: 钟汇才; 梁擎擎; 朱慧珑; 李萌 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2015/05/29 |
| 一种通过建立查找表快速提取含有冗余金属的互连结构的电容的方法 专利 专利号: CN201010589347.6, 申请日期: 2014-01-29, 公开日期: 2011-04-20 作者: 李志刚; 马天宇; 陈岚; 阮文彪; 叶甜春 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2015/11/03 |
| 一种化学机械抛光模拟方法 专利 申请日期: 2013-08-01, 作者: 马天宇; 陈岚; 孙艳 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2017/05/27 |