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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：Physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Quenching of Spin Polarization Switching in Organic Multiferroic Tunnel Junctions by Ferroelectric "Ailing-Channel" in Organic Barrier 期刊论文 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 36, 页码: 30614-30622 作者:  Desfeux, Rachel;  Li, Xiaoguang;  Migot, Sylvie;  Chaudhuri, Debapriya;  Yang, Hongxin 收藏  |  浏览/下载：179/0  |  提交时间：2018/12/04 Nonvolatile Memory  Spinterface  Valves  Films  Semiconductors  Storage  Polymer  Devices   Different origins of the yellow luminescence in as-grown high-resistance GaN and unintentional-doped GaN films 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 107, 期号: 2, 页码: 23528 作者:  Xu, FJ;  Shen, B;  Lu, L;  Miao, ZL;  Song, J 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2016/06/29 gallium compounds  III-V semiconductors  MOCVD  photoluminescence  positron annihilation  vacancies (crystal)  wide band gap semiconductors   Photoluminescence spectroscopy and positron annihilation spectroscopy probe of alloying and annealing effects in nonpolar m-plane ZnMgO thin films 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 96, 期号: 15, 页码: 151904 作者:  Yang, AL;  Song, HP;  Liang, DC;  Wei, HY;  Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2016/06/29 alloying  annealing  electrical conductivity  excitons  II-VI semiconductors  magnesium compounds  MOCVD coatings  photoluminescence  positron annihilation  semiconductor thin films  vacancies (crystal)  wide band gap semiconductors  zinc compounds   Positron annihilation in (Ga, Mn)N: A study of vacancy-type defects 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 15, 页码: 151907 作者:  Yang, XL;  Zhu, WX;  Wang, CD;  Fang, H;  Yu, TJ 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2016/06/29 doping profiles  Doppler broadening  ferromagnetic materials  gallium compounds  III-V semiconductors  magnetic thin films  manganese compounds  MOCVD  positron annihilation  semiconductor doping  semiconductor thin films  semimagnetic semiconductors  vacancies (crystal)  wide band gap semiconductors   XANES investigation of synthesized nano-ZnO capped by DDAB 期刊论文 HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2003, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 367-370 作者:  Ji, YL;  Hu, R;  Wu, ZY;  Guo, L;  Xu, HB 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/06/27 nanomaterial  ZnO  DDAB  reverse micelles   An organic electroluminescent device made from a gadolinium complex 期刊论文 SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2002, 卷号: 121, 期号: 2-3, 页码: #REF! 作者:  Gao, DQ;  Huang, CH;  Kui RX(奎热西);  Liu FQ(刘凤琴);  Ibrahim, K 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/04/12 thin film  organic semiconductors  luminescence