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All-Optically Controlled Memristor for Optoelectronic Neuromorphic Computing 期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2020
作者:  Hu, Lingxiang;  Yang, Jing;  Wang, Jingrui;  Cheng, Peihong;  Chua, Leon O.
收藏  |  浏览/下载：118/0  |  提交时间：2020/12/16
Magnetism modulation and conductance quantization in a gadolinium oxide memristor 期刊论文
PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2020, 卷号: 22, 期号: 45, 页码: 26322-26329
作者:  Xie, Zhuolin;  Gao, Shuang;  Ye, Xiaoyu;  Yang, Huali;  Gong, Guodong
收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2020/12/16
Ultrathin flexible InGaZnO transistor for implementing multiple functions with a very small circuit footprint 期刊论文
NANO RESEARCH, 2020, 卷号: 14, 期号: 1, 页码: 232-238
作者:  Dai, Chaoqi;  Chen, Peiqin;  Qi, Shaocheng;  Hu, Yongbin;  Song, Zhitang
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/12/16
research on sram functional failure mode induced by total ionizing dose irradiation 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: -
作者:  Zheng Qi-Wen;  Yu Xue-Feng;  Cui Jiang-Wei;  Guo Qi;  Ren Di-Yuan
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/11/07
serial ferroelectric memory ionizing radiation effects and annealing characteristics 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: -
作者:  Zhang Xing-Yao;  Guo Qi;  Lu Wu;  Zhang Xiao-Fu;  Zheng Qi-Wen
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/11/07
research on sram functional failure mode induced by total ionizing dose irradiation 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 378-384
作者:  Zheng Qi-Wen;  Yu Xue-Feng;  Cui Jiang-Wei;  Guo Qi;  Ren Di-Yuan
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2013/11/07
research on the total dose irradiation effect of partial-depletion-silicon-on insulator static random access memory 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: -
作者:  Li Ming;  Yu Xue-Feng;  Xue Yao-Guo;  Lu Jian;  Cui Jiang-Wei
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/11/29
PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456
作者:  李明;  余学峰;  卢健;  高博;  崔江维
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/11/29
Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120703
Liu,ZL; Hu,ZY; Zhang,ZX; Shao,H; Chen,M; Bi,DW; Ning,BX; Zou,SC
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/04/10
Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120703
Liu, ZL; Hu, ZY; Zhang, ZX（重点实验室）; Shao, H; Chen, M; Bi, DW; Ning, BX; Zou, SC（重点实验室）
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/05/10

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