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学科主题:Physics
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Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48
作者:
Guo, Wei
;
Xu, Houqiang
;
Chen, Li
;
Yu, Huabin
;
Jiang, Jie'an
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浏览/下载:128/0
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提交时间:2020/12/16
INVERSION DOMAIN BOUNDARIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
C-GAN DOMAINS
GALLIUM NITRIDE
N-POLARITY
2ND-HARMONIC GENERATION
SURFACE-MORPHOLOGY
GAAS FILMS
GROWTH
ALN
Lattice-Mismatch-Induced Oscillatory Feature Size and Its Impact on the Physical Limitation of Grain Size
期刊论文
PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2018, 卷号: 9, 期号: 3
作者:
Deng, Jinyu
;
Li, Huihui
;
Dong, Kaifeng
;
Li, Run-Wei
;
Peng, Yingguo
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2018/12/04
Longitudinal Recording Media
Magnetic-properties
Fept Nanoparticles
Thin-films
Growth
Microstructure
Temperature
Underlayer
Fept(001)
Systems
Large-scale SiO2 photonic crystal for high efficiency GaN LEDs by nanospherical-lens lithography
期刊论文
Chinese Physics B, 2014, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 28504
作者:
Wu K(吴奎)
;
Wei TB(魏同波)
;
Lan D(蓝鼎)
;
Zheng HY(郑海洋)
;
Wang JX(王军喜)
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2014/05/12
LIGHT-EMITTING-DIODES
HIGH-EXTRACTION-EFFICIENCY
BLUE
IMPROVEMENT
X-ray probe of GaN thin films grown on InGaN compliant substrates
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 102, 期号: 13, 页码: 132104
作者:
Xu, XQ
;
Li, Y
;
Liu, JM
;
Wei, HY
;
Liu, XL
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2016/04/08
Measurement of integral diffraction coefficients of crystals on beamline 4B7 of Beijing Synchrotron Radiation Facility
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 10705
作者:
Yang, JM
;
Gan, XS
;
Zhao, Y
;
Cui, MQ
;
Zhu, T
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2016/06/29
integral dirraction coefficient
crystal
x-ray spectrum measurement
high temperature plasmas
Different origins of the yellow luminescence in as-grown high-resistance GaN and unintentional-doped GaN films
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 107, 期号: 2, 页码: 23528
作者:
Xu, FJ
;
Shen, B
;
Lu, L
;
Miao, ZL
;
Song, J
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2016/06/29
gallium compounds
III-V semiconductors
MOCVD
photoluminescence
positron annihilation
vacancies (crystal)
wide band gap semiconductors
Positron annihilation in (Ga, Mn)N: A study of vacancy-type defects
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 15, 页码: 151907
作者:
Yang, XL
;
Zhu, WX
;
Wang, CD
;
Fang, H
;
Yu, TJ
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2016/06/29
doping profiles
Doppler broadening
ferromagnetic materials
gallium compounds
III-V semiconductors
magnetic thin films
manganese compounds
MOCVD
positron annihilation
semiconductor doping
semiconductor thin films
semimagnetic semiconductors
vacancies (crystal)
wide band gap semiconductors
Microstructural study of MBE-grown ZnO film on GaN/sapphire (0001) substrate
期刊论文
CENTRAL EUROPEAN JOURNAL OF PHYSICS, 2008, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 638-642
Li,H
;
Sang,JP
;
Liu,C
;
Lu,HB
;
Cao,JC
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2011/12/17
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
SAPPHIRE
CRYSTAL
LAYERS
MOCVD
GAN
Photoelectron diffraction study on the polarity of GaN surface
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2004, 卷号: 53, 期号: 4, 页码: 1171-1176
作者:
Xu, PS
;
Deng, R
;
Pan, HB
;
Xu, FQ
;
Xie, CK
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2016/06/29
GaN
surface polarity
photoelectron diffraction
THE COVALENCE CORRECTIONS ON IONIC MODEL TOTAL ENERGY FOR YBA2CU3O7
期刊论文
PHYSICA C, 1991, 卷号: 185, 期号: 1, 页码: 1659-1660
作者:
RUSHAN, H
;
GAN, ZZ
;
PAN, W
;
ZENG, Z
;
ZHENG, QQ
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/08/28
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