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学科主题:Physics
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Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48
作者:
Guo, Wei
;
Xu, Houqiang
;
Chen, Li
;
Yu, Huabin
;
Jiang, Jie'an
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浏览/下载:127/0
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提交时间:2020/12/16
INVERSION DOMAIN BOUNDARIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
C-GAN DOMAINS
GALLIUM NITRIDE
N-POLARITY
2ND-HARMONIC GENERATION
SURFACE-MORPHOLOGY
GAAS FILMS
GROWTH
ALN
Rapid crystallization of amorphous silicon films utilizing Ar-H-2 mesoplasma annealing
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 卷号: 486, 页码: 142-147
作者:
Lu, Ziyu
;
Zhang, Sheng
;
Sheng, Jiang
;
Gao, Pingqi
;
Chen, Qixian
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2018/12/04
Chemical-vapor-deposition
High-rate Epitaxy
Thermal-conductivity
Plasma-jet
Si Films
Pressure
Cvd
Epitaxial growth of Ge1-xSnx films with x up to 0.14 grown on Ge (00l) at low temperature
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 88112
作者:
Tao, P
;
Huang, L
;
Cheng, HH
;
Wang, HH
;
Wu, XS;王焕华
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2016/04/08
GeSn films
high resolution X-ray diffraction
fully-strained
Raman measurements
Optical properties of electron beam and gamma-ray irradiated InGaAs/GaAs quantum well and quantum dot structures
期刊论文
RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2013, 卷号: 83, 期号: 1, 页码: 42-47
作者:
Aierken A.
;
Guo Q.
;
Huhtio T.
;
Sopanen M.
;
He Ch F.
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2013/11/07
Irradiation
Electron beam
gamma-Ray
Quantum structure
Photoluminescence
Low-temperature (< 300 degrees C) growth and characterization of single-[100]-oriented Mn-Co-Ni-O thin films
期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2013, 卷号: 107, 期号: 9, 页码: 103-106
作者:
Ji Guang
;
Chang Aimin
;
Xu Jinbao
;
Zhang Huimin
;
Hou Juan
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/11/07
Thin films
Negative temperature coefficient thermistor
Structural properties
Electrical properties
Growth and phase transition characteristics of pure M-phase VO2 epitaxial film prepared by oxide molecular beam epitaxy
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 103, 期号: 13, 页码: 131914
作者:
Fan, LL
;
Chen, S
;
Wu, YF
;
Chen, FH
;
Chu, WS
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2016/04/08
Low-temperature (< 300 degrees C) growth and characterization of single-[100]-oriented Mn-Co-Ni-O thin films
期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2013, 卷号: 107, 期号: 9, 页码: 103-106
作者:
Ji Guang
;
Chang Aimin
;
Xu Jinbao
;
Zhang Huimin
;
Hou Juan
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2013/11/07
Thin Films
Negative Temperature Coefficient Thermistor
Structural Properties
Electrical Properties
Spectral Research on an AlGaAs Epitaxial Material for a Terahertz Quantum-cascade Laser
期刊论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2012, 卷号: 60, 期号: 8, 页码: 1267-1269
Tan, ZY
;
Cao, JC
收藏
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浏览/下载:97/0
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提交时间:2013/04/22
Grazing incidence spectrum
AlGaAs epitaxy material
Terahertz quantum-cascade laser
Fe-doped InN layers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 17, 页码: 171905
作者:
Wang, XQ
;
Liu, ST
;
Ma, DY
;
Zheng, XT
;
Chen, G
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2016/04/08
Ni-Al-O diffusion barrier layer for high-kappa metal-oxide-semiconductor capacitor
期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2011, 卷号: 519, 期号: 10, 页码: 3358-3362
作者:
Wu D. Q.
;
Jia R.
;
Yao J. C.
;
Zhao H. S.
;
Chang A. M.
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/11/07
High-kappa gate dielectrics
Leakage current density
Er(2)O(3)
Ni-Al-O
Diffusion barrier layer
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