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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Applied     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Phase change memory cell with an upper amorphous nitride silicon germanium heating layer 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 91, 期号: 7, 页码: 73505-73505 Rao, F; Song, ZT; Wu, LC; Zhong, M; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  THIN-FILMS  CRYSTALLIZATION  CONDUCTION  SEPARATION   Oxygen profile engineering in silicon by germanium addition and high-temperature annealing 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 83, 期号: 2, 页码: 305-307 An, ZH; Chu, PK; Zhang, M; Men, CL; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-IMPLANTATION  SI/SIO2 SUPERLATTICE  SI   Relaxed silicon-germanium-on-insulator substrates by oxygen implantation into pseudomorphic silicon germanium/silicon heterostructure 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 82, 期号: 15, 页码: 2452-2454 An, ZH; Wu, YJ; Zhang, M; Di, ZF; Lin, CL; Fu, RKY; Chen, P; Chu, PK; Cheung, WY; Wong, SP 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  STRAINED-SI  ELECTRON  MOSFETS  LAYER   Intense short-wavelength photoluminescence from thermal SiO2 films co-implanted with Si and C ions 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1998, 卷号: 73, 期号: 13, 页码: 1838-1840 Zhao, J; Mao, DS; Lin, ZX; Jiang, BY; Yu, YH; Liu, XH; Wang, HZ; Yang, GQ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/25 POROUS SILICON-CARBIDE  VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  LUMINESCENCE  NANOCRYSTALS  GE  SIO2-FILMS  PARTICLES