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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Applied     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of hydrostatic pressure on the electrical properties of hexagonal Ge2Sb2Te5: Experimental and theoretical approaches 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 14, 页码: 142112 Xu, B; Su, Y; Liu, ZG; Zhang, CH; Xia, YD; Yin, J; Xu, Z; Ren, WC; Xiang, YH 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/10 AMER INST PHYSICS   Ge2Sb2Te5 Phase Change Memory Cell Featuring Platinum Tapered Heating Electrode For Low-Voltage Operation 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: - Lv, SL; Song, ZT; Liu, Y; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  FOCUSED ION-BEAMS  TECHNOLOGY   Study on Adhesive Strength between Ge2Sb2Te5 Film and Electrodes for Phase Change Memory Application 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 10, 页码: 101601-101601 Liu, YB; Zhang, T; Zhang, GX; Niu, XM; Song, ZT; Min, GQ; Lin, Y; Zhang, J; Zhou, WM; Zhang, JP; Chu, JT; Wan, YZ; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILMS  CRYSTALLIZATION  RESISTANCE   Comparison of Thermal Stability and Electrical Characterization between Ge2Sb2Te5 and Ge1Sb2Te4 Phase-Change Materials 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 121104-121104 Liu, D; Xu, L; Liao, YB; Dai, M; Zhao, L; Xu, J; Wu, LC; Ma, ZY; Chen, KJ 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILMS  MEMORY   Germanium nitride interfacial layer for chalcogenide random access memory applications 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2008, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 11201-11201 Shen, J; Liu, B; Song, Z; Xu, C; Rao, F; Liang, S; Feng, S; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 CHANGE OPTICAL DISK  PHASE-CHANGE MEMORY  GE2SB2TE5 FILM  HIGH-DENSITY  DEVICE   Phase change memory based on Ge2Sb2Te5 capped between polygermanium layers 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 92, 期号: 11, 页码: 113503-113503 Zhang, T; Song, ZT; Gong, YF; Lin, Y; Xu, C; Chen, YF; Liu, B; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY   Performance improvement of phase-change memory cell with cup-shaped bottom electrode contact 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: 103107-103107 Wu, LC; Song, ZT; Rao, F; Gong, YF; Liu, B; Wang, LY; Liu, WL; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 CRYSTALLIZATION  GE2SB2TE5  STORAGE  MEDIA   Investigation of compositional gradient phase change SixSb2Te3 thin films 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 卷号: 46, 期号: 1-3, 页码: L70-L73 Zhang, T; Song, ZT; Liu, B; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 GE2SB2TE5 FILM  CRYSTALLIZATION  IMPLANTATION  RESISTANCE  STORAGE  MEMORY   Multilevel data storage characteristics of phase change memory cell with douhlelayer chalcogenide films (Ge(2)Sh(2)Te(5) and Sb2Te3) 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 卷号: 46, 期号: 1-3, 页码: L25-L27 Rao, F; Song, ZT; Zhong, M; Wu, LC; Feng, GM; Liu, B; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2012/03/24 GE2SB2TE5 FILMS  COMPOSITES  RESISTANCE