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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：红外探测材料与器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 黑硅的光电特性 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2012 作者:  程正喜 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/09/11 黑硅  平面黑硅  深能级杂质  杂质带  红外吸收特性   平面型GaN基紫外探测器的制备与性能研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2010 作者:  包西昌 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/09/11 平面型gan基紫外探测器  器件制备  离子注入  电容特性  负微分电容   牛津型斯特林制冷机可靠性研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2009 作者:  刘心广 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/08/22 牛津型斯特林制冷机  失效分析  磨损  气体污染  可靠性评价   分子束外延HgCdTe位错及表面缺陷抑制方法 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  傅祥良 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/08/22 分子束外延  Hgcdte  替代衬底  位错  表面缺陷  器件性能   碲锌镉材料缺陷特性及起源的研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  刘从峰 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/08/22 碲锌镉  缺陷  腐蚀坑  夹杂物  退火   Si基分子束外延HgCdTe/CdTe评价与表征研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2006 作者:  王元樟 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/07/11 分子束外延  Hgcdte/cdte/si  孪晶  剪切应变  热应变   GaN基p-i-n紫外列阵探测器的制备与光电特性研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2006 作者:  亢勇 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2012/07/11 Gan基阵列紫外探测器  器件制备  Icp干法刻蚀  结电容频率特性  内量子效率