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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improved tunneling magnetoresistance in (Ga,Mn)As/AlO(x)/CoFeB magnetic tunnel junctions 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 26, 页码: 262501 Yu GQ; Chen L; Rizwan S; Zhao JH; Xu K; Han XF 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2012/01/06 TEMPERATURE  GA1-XMNXAS  TRANSPORT  EPILAYERS  (GA  MN)AS  FILMS   Anisotropic transport in quantum waveguides due to the spin-orbit interactions 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: art. no. 052108 Wang M; Chang K; Chan KS 收藏  |  浏览/下载：180/51  |  提交时间：2010/03/08 crystal orientation  electric admittance  electron waveguides  quantum interference phenomena  spin-orbit interactions   Tunneling magnetoresistance in (Ga,Mn)As/Al-O/CoFeB hybrid structures 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 7, 页码: art. no. 07c707 Du GX; Babu MR; Han XF; Deng JJ; Wang WZ; Zhao JH; Wang WD; Tang JK 收藏  |  浏览/下载：151/0  |  提交时间：2010/03/08 SPIN INJECTION  TRILAYER STRUCTURES  HETEROSTRUCTURES  (GA  JUNCTIONS  MN)AS   Tunneling magnetoresistance in CoFeB/GaAs/(Ga,Mn)As hybrid magnetic tunnel junctions 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 7, 页码: art. no. 07d105 Du, GX; Han, XF; Deng, JJ; Wang, WZ; Zhao, JH 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/03/08 HETEROSTRUCTURES  SEMICONDUCTORS  (GA  MN)AS   Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 magnetic semiconductor  magnetic p-n junction  ion beam epitaxy  gadolinium silicides  METAL-INSULATOR-TRANSITION  P-N-JUNCTION  INDUCED FERROMAGNETISM  SI/SIER INTERFACE  BEAM EPITAXY  SEMICONDUCTORS  EXCITATION  MAGNETORESISTANCE  ALLOYS   Characterization of deep levels in Pt-GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318 Leung BH; Chan NH; Fong WK; Zhu CF; Ng SW; Lui HF; Tong KY; Surya C; Lu LW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：129/0  |  提交时间：2010/08/12 deep level transient Fourier spectroscopy  (DLTFS)  gallium nitride (GaN)  intermediate-temperature buffer layer (ITBF)  low-frequency noise  RESONANT-TUNNELING DIODES  GENERATION-RECOMBINATION NOISE  RANDOM-TELEGRAPH NOISE  ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS  DEVICES