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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Strong up-conversion emissions in ZnO:Er3+, ZnO:Er3+-Yb3+ nanoparticles and their surface modified counterparts 期刊论文 journal of colloid and interface science, 2011, 卷号: 358, 期号: 2, 页码: 334-337 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：54/5  |  提交时间：2011/07/05 Sol-gel  ZnO:Er-Yb nanoparticles  Up-conversion  Core/shell  Three-photon processes  NANOCRYSTALLINE YTTRIA  OPTICAL SPECTROSCOPY  GLASSES  LUMINESCENCE  TEMPERATURE  ER3+  YB3+  GREEN  FILMS  OXIDE   Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112 Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  AUGMENTED-WAVE METHOD  VAPOR-PHASE EPITAXY  ELECTRICAL-PROPERTIES  OXYGEN  ACTIVATION  SILICON   Synthesis and characterization of ZnO nanoflowers grown on AIN films by solution deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 640-643 Gao, HY; Yan, FW; Zhang, Y; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：51/4  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  NANORODS  MECHANISM  NANOWIRES   Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing 期刊论文 chinese physics, 2002, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 492-495 Wang YQ; Liao XB; Diao HW; Zhang SB; Xu YY; Chen CY; Chen WD; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：102/13  |  提交时间：2010/08/12 polycrystalline silicon film  rapid thermal processing  microstructure  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS-SILICON  PRESSURE  TRANSISTORS  CRYSTALLIZATION  GROWTH   Effect of rapid thermal annealing and hydrogen plasma treatment on the microstructure and light-emission of silicon-rich oxide film 期刊论文 acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 7, 页码: 1564-1570 Wang YQ; Chen WD; Chen CY; Diao HW; Zhang SB; Xu YY; Kong GL; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 silicon-rich silicon oxide  microstructure  light-emission  rapid thermal annealing  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS-SILICON  POROUS SILICON  SI  LUMINESCENCE  NANOCRYSTALS  SPECTRA  SYSTEM   Microstructure of a-SiOx : H 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1320-1328 Wang YQ; Liao XB; Diao HW; Cheng WC; Li GH; Chen CY; Zhang SB; Xu YY; Chen WD; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 a-SiOx : H  microstructure  bonding configuration  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS-SILICON  ELECTRONIC-PROPERTIES  SIO2/SI INTERFACE  OXYGEN  FILMS  VIBRATIONS  ALLOYS  SYSTEM   Effects of annealing on properties of spin-valve pinned with FeMn alloy 期刊论文 acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 8, 页码: 1846-1850 Chai CL; Teng J; Yu GH; Zhu FW; Lai WY; Xiao JM 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  spin-valve  diffusion along grain boundary  TEMPERATURE-DEPENDENCE  MAGNETORESISTANCE  FILMS  COERCIVITY  FIELD  BIAS  NIO   The microstructure and its high-temperature annealing behaviours of a-Si : O : H film 期刊论文 acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 12, 页码: 2418-2422 Wang YQ; Chen CY; Chen WD; Yang FH; Diao HW 收藏  |  浏览/下载：82/6  |  提交时间：2010/08/12 a-Si : O : H  nc-Si  microstructure  annealing  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS SIO2  OPTICAL-PROPERTIES  SILICON   Strain effect on the band structure of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1999, 卷号: 38, 期号: 11, 页码: 6264-6265 作者:  Wang HL;  Jiang DS;  Wang HL;  Wang HL 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs/GaAs  quantum dots  photoluminescence  band structure  relaxation  GAAS  TEMPERATURE