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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
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2012 [1]
2010 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2003 [1]
2001 [1]
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学科主题
半导体物理 [7]
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学科主题:半导体物理
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Multiphonon effects on the optical emission spectra of the nitrogen-vacancy center in diamond at different temperatures
期刊论文
journal of applied physics, 2012, 卷号: 111, 期号: 6, 页码: 63519
Ma, WL
;
Li, SS
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/02/07
Donor-donor binding in In2O3: Engineering shallow donor levels
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: art. no. 083704
Tang LM (Tang Li-Ming)
;
Wang LL (Wang Ling-Ling)
;
Wang D (Wang Dan)
;
Liu JZ (Liu Jian-Zhe)
;
Chen KQ (Chen Ke-Qiu)
收藏
  |  
浏览/下载:67/0
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提交时间:2010/05/24
AUGMENTED-WAVE METHOD
ELECTRONIC-STRUCTURE
SEMICONDUCTORS
FILMS
ZNSE
ZNTE
Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
收藏
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浏览/下载:71/1
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提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
visible spectra
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206
Shi LJ
;
Zhu LF
;
Zhao YH
;
Liu BG
收藏
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浏览/下载:218/56
  |  
提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
aluminium compounds
annealing
band structure
chromium
Curie temperature
density functional theory
exchange interactions (electron)
ferromagnetic materials
III-V semiconductors
semimagnetic semiconductors
total energy
vacancies (crystal)
Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in InP
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932
Deng AH
;
Mascher P
;
Zhao YW
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/08/12
UNDOPED SEMIINSULATING INP
LOW FE CONTENT
POSITRON-LIFETIME
PHASE EPITAXY
PRESSURE
VACANCY
INDIUM
ANNIHILATION
PHOSPHIDE
WAFERS
Impurity-free vacancy diffusion technique for InGaAsP/InP multiple quantum well laser structure
期刊论文
chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 100-102
Han DJ
;
Niu JS
;
Zhu HL
;
Zhu HQ
;
Zhuang WR
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
Effects of annealing on self-organized InAs quantum islands on GaAs (100)
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 24, 页码: 3518-3520
Mo QW
;
Fan TW
;
Gong Q
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Bai YQ
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
COHERENT ISLANDS
GROWTH
DOTS
DISLOCATIONS
TEMPERATURE
MECHANISMS
SI(001)
INGAAS
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