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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Schottky barrier heights at the interfaces between pure-phase InAs nanowires and metal contacts 期刊论文 journal of applied physics, 2016, 卷号: 119, 期号: 5, 页码: 054304 Boyong Feng; Shaoyun Huang; Jiyin Wang; Dong Pan; Jianghua Zhao; H. Q. Xu 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/16 Evaluating AlGaN/AlN/GaN heterostructure Schottky barrier heights with flat-band voltage from forward current-voltage characteristics 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 12, 页码: 123504 Lv YJ; Lin ZJ; Meng LG; Yu YX; Luan CB; Cao ZF; Chen H; Sun BQ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/01/06 Thermal annealing behaviour of Pt on n-GaN Schottky contacts 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2003, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 1018-1022 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：179/3  |  提交时间：2010/08/12 BARRIER FORMATION  DIODES  PD   CONTROLLING OF SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS FOR AU/N-GAAS AND TI/N-GAAS WITH HYDROGEN INTRODUCED AFTER METAL-DEPOSITION BY BIAS ANNEALING 期刊论文 applied physics letters, 1993, 卷号: 62, 期号: 21, 页码: 2719-2721 JIN SX; WANG HP; YUAN MH; SONG HZ; WANG H; MAO WL; QIN GG; REN ZY; LI BC; HU XW; SUN GS 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 DIODES