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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101 Yang XD; Xu ZY; Sun Z; Sun BQ; Ding L; Wang FZ; Ye ZZ 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  P-TYPE ZNO  OPTICAL-PROPERTIES  EXCITON FORMATION  PHOTOLUMINESCENCE  FILMS  SPECTROSCOPY  DYNAMICS  IMPURITY  ENERGY   A study of the growth and optical properties of AlInGaN alloys 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2632-2637 Huang JS; Dong X; Lu XL; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：265/14  |  提交时间：2010/08/12 AlInGaN  MOCVD  localized exitons  quantum dots  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  LUMINESCENCE  RELAXATION  SILICON  GAN   Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xNx single quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：142/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  NITROGEN  LUMINESCENCE  PRESSURE  STATES  ENERGY   Electronic properties of GaAs/GayIn1-yNxAs1-y-xSby superlattices 期刊论文 physical review b, 2003, 卷号: 68, 期号: 23, 页码: art.no.235326 Niu, ZC; Ni, HQ; Xu, XH; Zhang, W; Xu, YQ; Wu, RH 收藏  |  浏览/下载：52/22  |  提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs 会议论文 symposium on gan and related alloys held at the mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 2003 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  GAAS1-XNX  PHOTOLUMINESCENCE  RELAXATION   Localized exciton dynamics in AlInGaN alloy 期刊论文 solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477 Huang JS; Dong X; Luo XD; Liu XL; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 AlInGaN  quantum dots  hopping  stretched-exponential decay  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  LIGHT-EMITTING-DIODES  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  THERMAL-ACTIVATION  LUMINESCENCE  TRANSITIONS  RELAXATION  SILICON  LAYERS   Influence of transverse interdot coupling on transport properties of an Aharonov-Bohm structure composed by two dots and two reservoirs 期刊论文 physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 20, 页码: art.no.205306 Jiang ZT; You JQ; Bian SB; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 DOUBLE-QUANTUM-DOT  ARTIFICIAL MOLECULE  RATE-EQUATIONS  RING  INTERFERENCE  SPECTROSCOPY  OSCILLATIONS  CONDUCTANCE  INTRADOT   Interface-related in-plane optical anisotropy in GaAs/AlxGa1-xAs single-quantum-well structures studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文 physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 19, 页码: art.no.195321 作者:  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  EXCITON LOCALIZATION  INVERSION ASYMMETRY  COMMON-ATOM  LIGHT-HOLE  HETEROSTRUCTURES  SUPERLATTICES  POLARIZATION  SEGREGATION  MORPHOLOGY   Exciton localization in In0.15Ga0.85As/GaAs quantum wire structures grown on (553)B-oriented GaAs substrate 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: 5111-5114 Liu BL; Liu B; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：115/11  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CORRUGATED GAAS/ALAS SUPERLATTICES  RADIATIVE LIFETIMES  WELLS  RECOMBINATION  SURFACES  DEPENDENCE  DOTS   Ion bombardment as the initial stage of diamond film growth 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 1983-1985 Liao MY; Qin FG; Zhang JH; Liu ZK; Yang SY; Wang ZG; Lee ST 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 BIAS-ENHANCED NUCLEATION  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  BEAM DEPOSITION  MECHANISM  SILICON  SPECTROSCOPY