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科研机构
半导体研究所 [9]
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期刊论文 [9]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2009 [1]
2008 [3]
2007 [1]
2001 [1]
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学科主题
半导体物理 [9]
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学科主题:半导体物理
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Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.54503
作者:
Jiang XW
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
SEMICONDUCTOR-DEVICES
SILICON DEVICES
MONTE-CARLO
MOSFETS
NANOTRANSISTORS
APPROXIMATION
EQUATIONS
DESIGN
MODELS
Quantum Mechanical Study on Tunnelling and Ballistic Transport of Nanometer Si MOSFETs
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 057101
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Jiang XW (Jiang Xiang-Wei)
;
Tang LM (Tang Li-Ming)
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浏览/下载:101/3
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提交时间:2010/05/24
SIMULATION
TRANSISTORS
LIMIT
NM
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Ma ZY
;
Luo WJ
;
Wang ZG
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浏览/下载:193/43
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提交时间:2010/03/08
CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
AL-CONTENT
ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES
HEMT STRUCTURES
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
GAS
DENSITIES
A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm MOSFETs
期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2008, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 1720-1726
Jiang, XW
;
Deng, HX
;
Luo, JW
;
Li, SS
;
Wang, LW
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浏览/下载:153/1
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提交时间:2010/03/08
dopant fluctuation
linear combination of bulk band (LCBB)
MOSFET
quantum mechanical
threshold
3-D
Multiple valley couplings in nanometer Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: art. no. 124507
Deng, HX
;
Jiang, XW
;
Luo, JW
;
Li, SS
;
Xia, JB
;
Wang, LW
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浏览/下载:65/5
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提交时间:2010/03/08
SIMULATION
MOSFETS
SUPERLATTICES
REGIME
LIMIT
Tuning of plasmon propagation in two-dimensional electrons
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 25, 页码: art. no. 251501
Li C
;
Wu XG
收藏
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浏览/下载:225/75
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提交时间:2010/03/08
field effect transistors
plasmons
semiconductor heterojunctions
spin-orbit interactions
two-dimensional electron gas
Transfer and detection of single electrons using metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
期刊论文
ieice transactions on electronics, 2007, 卷号: e90c, 期号: 5, 页码: 943-948
Zhang WC (Zhang Wancheng)
;
Nishiguchi K (Nishiguchi Katsuhiko)
;
Ono Y (Ono Yukinori)
;
Fujiwara A (Fujiwara Akira)
;
Yamaguchi H (Yamaguchi Hiroshi)
;
Inokawa H (Inokawa Hiroshi)
;
Takahashi Y (Takahashi Yasuo)
;
Wu, NJ (Wu, Nan-Jian)
收藏
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浏览/下载:114/0
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提交时间:2010/03/29
single-electron
Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization on electronic and optical properties of wurtzite III-V nitride quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6210-6216
Wan SP
;
Xia JB
;
Chang K
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浏览/下载:123/9
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提交时间:2010/08/12
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
RECOMBINATION DYNAMICS
WIDTH DEPENDENCE
GAN
EXCITONS
ABSORPTION
SPECTRA
SEMICONDUCTORS
LUMINESCENCE
CONSTANTS
Fermi-edge singularity observed in a modulation-doped AlGaN/GaN heterostructure
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 17, 页码: 2471-2472
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/08/12
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
LUMINESCENCE SPECTRA
ABSORPTION
CHARGE
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