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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: art. no. 023104 作者:  Zhu JJ;  Zhang SM;  Jiang DS;  Zhao DG;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：191/56  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  claddings  gallium compounds  III-V semiconductors  indium compounds  quantum well lasers  refractive index  waveguide lasers   The investigation on strain relaxation and double peaks in photoluminescence of InGaN/GaN MQW layers 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 23, 页码: art.no.235104 Zhu, JH (Zhu, J. H.); Wang, LJ (Wang, L. J.); Zhang, SM (Zhang, S. M.); Wang, H (Wang, H.); Zhao, DG (Zhao, D. G.); Zhu, JJ (Zhu, J. J.); Liu, ZS (Liu, Z. S.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Qiu, YX (Qiu, Y. X.); Yang, H (Yang, H.) 收藏  |  浏览/下载：143/26  |  提交时间：2010/03/08 MULTIPLE-QUANTUM WELLS   Indium-Induced Effect on Polarized Electroluminescence from InGaN/GaN MQWs Light Emitting Diodes 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: art. no. 087802 Ruan J; Yu TJ; Jia CY; Tao RC; Wang ZG; Zhang GY 收藏  |  浏览/下载：88/2  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-WELL LASERS  OPTICAL GAIN  EMISSION  GAN  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  LUMINESCENCE  SPECTRA  ORIGIN  ENERGY   Effect of Interface Roughness and Dislocation Density on Electroluminescence Intensity of InGaN Multiple Quantum Wells 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4143-4146 Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Wang, YT; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/03/08 X-RAY-DIFFRACTION  EPITAXIAL GAN  DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE  GROWTH  FILMS   Effect of critical thickness on structural and optical properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2004, 卷号: 95, 期号: 8, 页码: 4362-4366 Lu, W; Li, DB; Li, CR; Shen, F; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：303/45  |  提交时间：2010/03/09 CRITICAL LAYER THICKNESS