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半导体物理 [12]

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	Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.54503 作者: Jiang XW 收藏 \| 浏览/下载：50/2 \| 提交时间：2011/07/05 FIELD-EFFECT TRANSISTORS SEMICONDUCTOR-DEVICES SILICON DEVICES MONTE-CARLO MOSFETS NANOTRANSISTORS APPROXIMATION EQUATIONS DESIGN MODELS
	Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301 Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG 收藏 \| 浏览/下载：193/43 \| 提交时间：2010/03/08 CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION FIELD-EFFECT TRANSISTORS AL-CONTENT ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES HEMT STRUCTURES PHASE EPITAXY SAPPHIRE GAS DENSITIES
	Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: art. no. 052101 作者: Wei HY; Jiao CM; Song HP 收藏 \| 浏览/下载：235/41 \| 提交时间：2010/03/08 aluminium compounds conduction bands energy gap high electron mobility transistors III-V semiconductors magnesium compounds passivation semiconductor heterojunctions valence bands wide band gap semiconductors X-ray photoelectron spectra
	Role of interface dipole in metal gate/high-k effective work function modulation by aluminum incorporation 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 25, 页码: art. no. 252905 作者: Zhang XW 收藏 \| 浏览/下载：58/0 \| 提交时间：2010/03/08 high-k dielectric thin films MOS capacitors work function
	A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm MOSFETs 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2008, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 1720-1726 Jiang, XW; Deng, HX; Luo, JW; Li, SS; Wang, LW 收藏 \| 浏览/下载：153/1 \| 提交时间：2010/03/08 dopant fluctuation linear combination of bulk band (LCBB) MOSFET quantum mechanical threshold 3-D
	Multiple valley couplings in nanometer Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: art. no. 124507 Deng, HX; Jiang, XW; Luo, JW; Li, SS; Xia, JB; Wang, LW 收藏 \| 浏览/下载：65/5 \| 提交时间：2010/03/08 SIMULATION MOSFETS SUPERLATTICES REGIME LIMIT
	Tuning of plasmon propagation in two-dimensional electrons 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 25, 页码: art. no. 251501 Li C; Wu XG 收藏 \| 浏览/下载：224/75 \| 提交时间：2010/03/08 field effect transistors plasmons semiconductor heterojunctions spin-orbit interactions two-dimensional electron gas
	Quantum mechanical effects in nanometer field effect transistors 期刊论文 applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 14, 页码: art.no.143108 Luo, JW (Luo, Jun-Wei); Li, SS (Li, Shu-Shen); Xia, JB (Xia, Jian-Bai); Wang, LW (Wang, Lin-Wang) 收藏 \| 浏览/下载：138/0 \| 提交时间：2010/03/29 PARTICLE POINT
	Photoluminescence behaviors from stoichiometric gadolinium oxide films 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 7, 页码: 4414-4419 Zhou JP; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Song SL; Chen NF; Lin LY 收藏 \| 浏览/下载：362/14 \| 提交时间：2010/08/12 INTERFACIAL LAYER FORMATION GATE DIELECTRICS GD2O3 ION-BEAM TEMPERATURE-DEPENDENCE SILICON SI GAAS(100) CONSTANTS EUROPIUM YTTRIUM
	Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization on electronic and optical properties of wurtzite III-V nitride quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6210-6216 Wan SP; Xia JB; Chang K 收藏 \| 浏览/下载：123/9 \| 提交时间：2010/08/12 FIELD-EFFECT TRANSISTORS RECOMBINATION DYNAMICS WIDTH DEPENDENCE GAN EXCITONS ABSORPTION SPECTRA SEMICONDUCTORS LUMINESCENCE CONSTANTS

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