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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2009 [2]
2002 [1]
2000 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体物理 [5]
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学科主题:半导体物理
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Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 064211
作者:
Wang Y
;
Pan JQ
收藏
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浏览/下载:112/0
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
WAVE-GUIDE CIRCUIT
DOUBLE HETEROSTRUCTURES
SILICON SUBSTRATE
CW OPERATION
WAFER
DEVICES
FILMS
Controlling electronic structures by irradiation in single-walled SiC nanotubes: a first-principles molecular dynamics study
期刊论文
nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: art. no. 075708
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:164/21
  |  
提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SILICON-CARBIDE NANOTUBES
FORMATION ENERGIES
CARBON NANOTUBES
BORON-NITRIDE
NANOWIRES
COMPOSITES
DEFECTS
FUSION
Microstructure of a-SiOx : H
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1320-1328
Wang YQ
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Cheng WC
;
Li GH
;
Chen CY
;
Zhang SB
;
Xu YY
;
Chen WD
;
Kong GL
收藏
  |  
浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/08/12
a-SiOx : H
microstructure
bonding configuration
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS-SILICON
ELECTRONIC-PROPERTIES
SIO2/SI INTERFACE
OXYGEN
FILMS
VIBRATIONS
ALLOYS
SYSTEM
Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/10/29
AlGaN/GaN heterostructures
In-doping
2DEG
electron sheet density
X-ray diffraction
etching
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MOBILITY
GROWTH
FILMS
Influence of rapid thermal annealing on the optical properties of gallium nitride grown by gas-source molecular-beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 8, 页码: 936-938
Li XB
;
Sun DZ
;
Zhang JP
;
Kong MY
;
Yoon SF
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/08/12
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LIGHT-EMITTING-DIODES
LAYERS
GAAS
HYDROGEN
FILMS
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