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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111 Xu, XQ; Liu, XL; Han, XX; Yuan, HR; Wang, J; Guo, Y; Song, HP; Zheng, GL; Wei, HY; Yang, SY; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  dislocation density  electron mobility  gallium compounds  III-V semiconductors  interface roughness  semiconductor heterojunctions  two-dimensional electron gas  wide band gap semiconductors   Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/04/11 ROOM-TEMPERATURE  SILICON  SEMICONDUCTORS  DISLOCATIONS  SPECTRA   Effects of annealing on self-organized InAs quantum islands on GaAs (100) 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 24, 页码: 3518-3520 Mo QW; Fan TW; Gong Q; Wu J; Wang ZG; Bai YQ 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  COHERENT ISLANDS  GROWTH  DOTS  DISLOCATIONS  TEMPERATURE  MECHANISMS  SI(001)  INGAAS   New method for the growth of highly uniform quantum dots 会议论文 2nd international conference on low dimensional structures and devices, lisbon, portugal, may 19-21, 1997 Pan D; Zeng YP; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 self-formed quantum dot  Stranski-Krastanow growth mode  superlattice  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INGAAS  GAAS  DISLOCATIONS  MULTILAYERS  DEFECTS  STRAIN   INFLUENCES OF ALLOY DISORDER AND INTERFACE ROUGHNESS ON OPTICAL-SPECTRA OF INGAAS/GAAS STRAINED-LAYER QUANTUM-WELLS 期刊论文 chinese physics, 1991, 卷号: 11, 期号: 2, 页码: 458-465 XU QA; XU ZY; ZHENG BZ; XU JZ 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 EPITAXIAL MULTILAYERS  DEFECTS  SUPERLATTICES  DISLOCATIONS  DEPENDENCE  THICKNESS