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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Strong up-conversion emissions in ZnO:Er3+, ZnO:Er3+-Yb3+ nanoparticles and their surface modified counterparts 期刊论文 journal of colloid and interface science, 2011, 卷号: 358, 期号: 2, 页码: 334-337 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：54/5  |  提交时间：2011/07/05 Sol-gel  ZnO:Er-Yb nanoparticles  Up-conversion  Core/shell  Three-photon processes  NANOCRYSTALLINE YTTRIA  OPTICAL SPECTROSCOPY  GLASSES  LUMINESCENCE  TEMPERATURE  ER3+  YB3+  GREEN  FILMS  OXIDE   Distribution of dislocations in GaSb and InSb epilayers grown on GaAs (001) vicinal substrates 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094903 Li MC; Qiu YX; Liu GJ; Wang YT; Zhang BS; Zhao LC 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/08 X-RAY-DIFFRACTION  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  FILMS  MISFIT   Optical constants of cubic GaN/GaAs(001): Experiment and modeling 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 5, 页码: 2549-2553 Munoz M; Huang YS; Pollak FH; Yang H 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HEXAGONAL GAN  TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  TRANSITIONS  GROWTH  GAIN  ALN  ELLIPSOMETRY  WURTZITE   Silicon doping induced increment of quantum dot density 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 6314-6318 作者:  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 MBE  silicon  doping  density  InGaAs/GaAs  SAOD  INGAAS  ISLANDS  GAAS   Structure and photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dots grown via cycled (InAs)(n)/(GaAs)(n) monolayer deposition 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 1154-1157 He J; Wang XD; Xu B; Wang ZG; Qu SC 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 MBE  InGaAs/GaAs  quantum dots  photoluminescence  morphology  MU-M  WELL STRUCTURES  GAAS  LASERS  TEMPERATURE  STATES  INP   Strain effect on the band structure of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1999, 卷号: 38, 期号: 11, 页码: 6264-6265 作者:  Wang HL;  Jiang DS;  Wang HL;  Wang HL 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs/GaAs  quantum dots  photoluminescence  band structure  relaxation  GAAS  TEMPERATURE   High-speed and high-power 1.3 mu m InGaAsP/InP selective proton-bombarded buried crescent lasers with optical field attenuation regions 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1999, 卷号: 38, 期号: 12a, 页码: 6729-6731 Zhang BJ; Yi MB; Song JF; Gao DS; Zhu NH; Wu RH; Wang W 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 semiconductor laser  heterostructure  proton bombardment  modulation bandwidth  MOCVD  CURRENT BLOCKING LAYERS  INNER-STRIPE LASERS   A novel 1.3-mu m high T-0 AlGaInAs/InP strained-compensated multi-quantum well complex-coupled distributed feedback laser diode 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1999, 卷号: 38, 期号: 9a, 页码: 5096-5100 Chen B; Wang W; Wang XJ; Zhang JY; Fan Z 收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2010/08/12 fiber communication  AlGaInAs/InP  distributed feedback laser diodes  complex-coupled grating  strained-compensated  LP-MOCVD  TEMPERATURE