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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2009 [1]
2006 [1]
学科主题
半导体物理 [2]
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学科主题:半导体物理
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Lattice polarity detection of InN by circular photogalvanic effect
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: art. no. 031902
Zhang Q
;
Wang XQ
;
He XW
;
Yin CM
;
Xu FJ
;
Shen B
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Ishitani Y
;
Yoshikawa A
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提交时间:2010/03/08
III-V semiconductors
indium compounds
nondestructive testing
photoconductivity
radiation effects
semiconductor thin films
wide band gap semiconductors
Corrugated surfaces formed on GaAs(331)A substrates: the template for laterally ordered InGaAs nanowires
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1140-1145
Gong Z
;
Niu ZC
;
Fang ZD
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
QUANTUM-DOT SUPERLATTICES
VICINAL GAAS(001)
GAAS
WIRES
POLARIZATION
GROWTH
WELLS
TEMPERATURE
MECHANISM
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