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	Chemical trends of magnetic interaction in Mn-doped III-V 期刊论文 applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 12, 页码: 122409 H. Peng, J. Li, S. H. Wei 收藏 \| 浏览/下载：8/0 \| 提交时间：2014/03/26
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	Structure, magnetization, and low-temperature spin dynamic behavior of zincblende Mn-rich Mn(Ga)As nanoclusters embedded in GaAs 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 5, 页码: art. no. 053912 Wang WZ; Deng JJ; Lu J; Sun BQ; Wu XG; Zhao JH 收藏 \| 浏览/下载：214/74 \| 提交时间：2010/03/08 annealing Curie temperature ferromagnetic materials gallium arsenide III-V semiconductors magnetic susceptibility magnetisation manganese compounds nanofabrication nanostructured materials RKKY interaction semiconductor thin films semimagnetic semiconductors spin dynamics
	Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713 作者: Zhang XW; You JB; Yin ZG 收藏 \| 浏览/下载：71/1 \| 提交时间：2010/03/08 annealing carrier density carrier mobility diffusion electrical conductivity electrical resistivity hydrogen II-VI semiconductors impurity states interstitials light transmission plasma materials processing semiconductor thin films sputter deposition vacancies (crystal) visible spectra wide band gap semiconductors zinc compounds
	Measuring spin diffusion of electrons in bulk n-GaAs using circularly dichromatic absorption difference spectroscopy of spin gratings 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 20, 页码: art. no. 202109 Yu HL; Zhang XM; Wang PF; Ni HQ; Niu ZC; Lai TS 收藏 \| 浏览/下载：53/4 \| 提交时间：2010/03/08 circular dichroism diffraction gratings diffusion gallium arsenide homodyne detection III-V semiconductors spin dynamics spin polarised transport
	Strain relaxation and band-gap tunability in ternary InxGa1-xN nanowires 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 193301 作者: Li JB 收藏 \| 浏览/下载：209/43 \| 提交时间：2010/03/08 density functional theory energy gap enthalpy gallium compounds ground states III-V semiconductors indium compounds Monte Carlo methods nanowires semiconductor quantum wires wide band gap semiconductors
	Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123 Gao, HL; Zeng, YP; Wang, BQ; Zhu, ZP; Wang, ZG 收藏 \| 浏览/下载：54/6 \| 提交时间：2010/03/08 molecular beam epitaxy semiconducting III-V materials high electron mobility transistors
	Mutual passivation of donors and isovalent nitrogen in GaAs 期刊论文 physical review letters, 2006, 卷号: 96, 期号: 3, 页码: art.no.035505 Li J; Carrier P; Wei SH; Li SS; Xia JB 收藏 \| 浏览/下载：72/0 \| 提交时间：2010/04/11 DILUTED GANXAS1-X ALLOYS GROUP-IV DONORS SEMICONDUCTOR ALLOYS OPTICAL-PROPERTIES BAND GAN(X)AS1-X IMPURITIES HYDROGEN

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