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半导体研究所 [11]
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期刊论文 [11]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2005 [1]
2002 [1]
2000 [1]
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学科主题
半导体物理 [11]
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学科主题:半导体物理
专题:半导体研究所
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Theoretical gain of strained GeSn0.02/Ge1-x-y ' SixSny ' quantum well laser
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 7, 页码: art. no. 073108
Zhu YH (Zhu Yuan-Hui)
;
Xu Q (Xu Qiang)
;
Fan WJ (Fan Wei-Jun)
;
Wang JW (Wang Jian-Wei)
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浏览/下载:68/3
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提交时间:2010/05/07
ALLOYS
GE
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Ma ZY
;
Luo WJ
;
Wang ZG
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浏览/下载:193/43
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提交时间:2010/03/08
CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
AL-CONTENT
ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES
HEMT STRUCTURES
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
GAS
DENSITIES
A new method to reduce the dark current of GaN based Schottky barrier ultraviolet photodetector
期刊论文
acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 4, 页码: 2548-2553
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:31/2
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提交时间:2010/03/08
GaN
Electron transport through hierarchical self-assembly of GaAs/AlxGa1-xAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2005, 卷号: 98, 期号: 8, 页码: art.no.083704
Li SS
;
Xia JB
;
Hirose K
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浏览/下载:156/16
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提交时间:2010/03/17
Electron and hole transport through quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 11, 页码: 6662-6665
Li SS
;
Abliz A
;
Yang FH
;
Niu ZC
;
Feng SL
;
Xia JB
;
Hirose K
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
CONDUCTANCE QUANTIZATION
Pressure behaviour of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots with multi-modal distribution in size
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2000, 卷号: 12, 期号: 13, 页码: 3173-3180
Chen Y
;
Zhang W
;
Li GH
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Zhou W
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
HYDROSTATIC-PRESSURE
ALXGA1-XAS ALLOYS
PHOTOLUMINESCENCE
WELLS
LUMINESCENCE
DEPENDENCE
Structural and optical properties of self-assembled InAs quantum dots grown on GaAs (311) A substrate
期刊论文
acta physica sinica, 1999, 卷号: 48, 期号: 8, 页码: 1541-1546
作者:
Xu B
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
THERMAL-ACTIVATION
LOCALIZED EXCITONS
PHOTOLUMINESCENCE
SUPERLATTICES
Carrier relaxation and thermal activation of localized excitons in self-organized InAs multilayers grown on GaAs substrates
期刊论文
physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 16, 页码: 11528-11531
Xu ZY
;
Lu ZD
;
Yang XP
;
Yuan ZL
;
Zheng BZ
;
Xu JZ
;
Ge WK
;
Wang Y
;
Wang J
;
Chang LL
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/17
QUANTUM-WELLS
DOTS
ISLANDS
PHOTOLUMINESCENCE
SURFACES
MATRIX
COHERENT MODEL FOR RESONANT-TUNNELING OF ELECTRONS IN DOUBLE-QUANTUM WELLS UNDER ELECTRIC-FIELDS
期刊论文
physical review b, 1994, 卷号: 49, 期号: 8, 页码: 5434-5437
JIN SR
;
XU ZY
;
LUO JS
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/15
LIFETIME
HETEROSTRUCTURES
TIME
CONTROLLING OF SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS FOR AU/N-GAAS AND TI/N-GAAS WITH HYDROGEN INTRODUCED AFTER METAL-DEPOSITION BY BIAS ANNEALING
期刊论文
applied physics letters, 1993, 卷号: 62, 期号: 21, 页码: 2719-2721
JIN SX
;
WANG HP
;
YUAN MH
;
SONG HZ
;
WANG H
;
MAO WL
;
QIN GG
;
REN ZY
;
LI BC
;
HU XW
;
SUN GS
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
DIODES
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