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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/04/11 ROOM-TEMPERATURE  SILICON  SEMICONDUCTORS  DISLOCATIONS  SPECTRA   Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 期刊论文 microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 333-339 Wang QY; Wang JH; Deng HF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 neutron irradiation  annealing  defects in silicon  SPECTRA   Impact of polarization on quasi-two-dimensional exciton and barrier-width dependence of the exciton associated transition in wurtzite III-V nitride quantum wells 期刊论文 solid state communications, 2002, 卷号: 122, 期号: 5, 页码: 287-292 Wan SP; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum wells  semiconductors  piezoelectricity  optical properties  OPTICAL-ABSORPTION  GAN  HETEROSTRUCTURES  SPECTROSCOPY  CONSTANTS  ENERGIES  LIFETIME  SPECTRA  FIELDS  INN   Effect of rapid thermal annealing and hydrogen plasma treatment on the microstructure and light-emission of silicon-rich oxide film 期刊论文 acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 7, 页码: 1564-1570 Wang YQ; Chen WD; Chen CY; Diao HW; Zhang SB; Xu YY; Kong GL; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 silicon-rich silicon oxide  microstructure  light-emission  rapid thermal annealing  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS-SILICON  POROUS SILICON  SI  LUMINESCENCE  NANOCRYSTALS  SPECTRA  SYSTEM   Photoluminescence of rapid-thermal annealed Mg-doped GaN films 期刊论文 solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 1153-1157 Wang LS; Fong WK; Surya C; Cheah KW; Zheng WH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：74/5  |  提交时间：2010/08/12 p-type GaN  metalorganic chemical vapor deposition  photoluminescence  X-ray diffraction  rapid-thermal annealing  P-TYPE GAN  RECOMBINATION  EMISSION  ENERGY  BANDS   Ion bombardment as the initial stage of diamond film growth 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 1983-1985 Liao MY; Qin FG; Zhang JH; Liu ZK; Yang SY; Wang ZG; Lee ST 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 BIAS-ENHANCED NUCLEATION  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  BEAM DEPOSITION  MECHANISM  SILICON  SPECTROSCOPY