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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of Anode Floating Voltage and its Applications in Characterizing Silicon Drift Detectors 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: art. no. 042901 Wu GG; Li HR; Liang K; Yang R; Cao XL; Wang HY; An JM; Hu XW; Han DJ 收藏  |  浏览/下载：78/31  |  提交时间：2010/03/08 GAMMA-RAY SPECTROSCOPY  X-RAY  SPECTROMETERS   Influence of penetrating V-pits on leakage current of GaN based p-i-n UV detector 期刊论文 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 7952-7957 Zhang S (Zhang Shuang); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Wang YT (Wang Yu-Tian); Duan LH (Duan Li-Hong); Liu WB (Liu Wen-Bao); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：138/40  |  提交时间：2010/03/08 GaN   Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon 期刊论文 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4302-4305 Tan LW; Wang J; Wang QY; Yu YH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 EPITAXIAL-GROWTH  AL2O3  SI   Effect of reflectivity at the interface of oxide layer on transverse mode control in oxide confined vertical-cavity surface-emitting lasers 期刊论文 journal of applied physics, 1998, 卷号: 83, 期号: 7, 页码: 3769-3772 Huang YZ 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 DIODES  POLARIZATION  SELECTION  LOSSES   Buried heterostructure InGaAsP/InP strain-compensated multiple quantum well laser with a native-oxidized InAlAs current blocking layer 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 26, 页码: 3803-3805 Wang ZJ; Chua SJ; Zhou F; Wang W; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 SURFACE-EMITTING LASERS  ULTRALOW THRESHOLD  OXIDE  INP  DIODES  OXIDATION