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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2006 [1]
2003 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
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Electrical properties of undoped In0.53Ga0.47As grown on InP substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 291-293
Cui LJ (Cui L. J.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Wang BQ (Wang B. Q.)
;
Zhu ZP (Zhu Z. P.)
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/04/11
characterization
point defects
molecular beam epitaxy
semiconducting gallium compounds
semiconducting indium compounds
semiconducting ternary compounds
1.55 MU-M
QUANTUM-WELLS
TEMPERATURE
GAAS
Structural and photoluminescent properties of ternary Zn1-xCdxO crystal films grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 1-2, 页码: 78-82
Ye ZZ
;
Ma DW
;
He JH
;
Huang JY
;
Zhao BH
;
Luo XD
;
Xu ZY
收藏
  |  
浏览/下载:488/1
  |  
提交时间:2010/08/12
characterization
crystal structure
DC sputtering
alloys
zinc compounds
semiconducting II-VI materials
THIN-FILMS
ROOM-TEMPERATURE
ULTRAVIOLET-LASER
SPRAY-PYROLYSIS
ZNO
MGXZN1-XO
EMISSION
ALLOY
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