CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure 期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
作者:  Bi Y;  Lin DF;  Peng EC
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2011/09/14
Interface of wet oxidized AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflectors 期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2007, 卷号: 86, 期号: 1, 页码: 19-22
Li RY (Li R. Y.); Wang ZG (Wang Z. G.); Xu B (Xu B.); Jin P (Jin P.); Guo X (Guo X.); Chen M (Chen M.)
收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/04/11
The effect of AlN growth time on the electrical properties of Al0.38Ga0.62N/AlN/GaN HEMT structures 期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 415-418
Wang CM; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Xiao HL; Li JP
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11
Electronic properties of sulfur passivated undoped-n(+) type GaAs surface studied by photoreflectance 期刊论文
applied surface science, 2003, 卷号: 218, 期号: 1-4, 页码: 210-214
作者:  Jin P
收藏  |  浏览/下载：458/3  |  提交时间：2010/08/12
Strain relaxation of InP film directly grown on GaAs patterned compliant substrate 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 71-76
作者:  Li DB
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12
THE ADSORPTION OF O2 ON FESI SURFACES 期刊论文
surface science, 1992, 卷号: 269, 期号: 0, 页码: 1022-1031
HSU CC; DING SA; MA MS; WU JX; LIU XM; JI MR
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace