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科研机构
半导体研究所 [8]
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期刊论文 [8]
发表日期
2006 [1]
2005 [3]
2003 [1]
2002 [1]
1999 [1]
1993 [1]
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学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
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Synthesis and photoluminescence properties of vertically aligned ZnO nanorod-nanowall junction arrays on a ZnO-coated silicon substrate
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 15, 页码: 3740-3744
Li C (Li Chun)
;
Fang GJ (Fang Guojia)
;
Su FH (Su Fuhai)
;
Li GH (Li Guohua)
;
Wu XG (Wu Xiaoguang)
;
Zhao XZ (Zhao Xingzhong)
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提交时间:2010/04/11
TEMPERATURE-DEPENDENT PHOTOLUMINESCENCE
OPTICAL-PROPERTIES
ZINC-OXIDE
THIN-FILMS
VAPOR-DEPOSITION
SI SUBSTRATE
NANOWIRES
GROWTH
EMISSION
EPITAXY
Effect of misfit dislocation originated from strained layer on photoluminescence properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 971-974
作者:
Li DB
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/03/17
OPTICAL-PROPERTIES
Time-resolved photoluminescence of sub-monolayer InGaAs/GaAs quantum-dot-quantum-well heterostructures
期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 11, 页码: 5367-5371
Xu ZC
;
Jia GZ
;
Sun L
;
Yao JH
;
Xu JJ
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浏览/下载:73/20
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提交时间:2010/03/17
sub-monolayer
Synthesis and optical properties of europium-doped ZnS: Long-lasting phosphorescence from aligned nanowires
期刊论文
advanced functional materials, 2005, 卷号: 15, 期号: 11, 页码: 1883-1890
Cheng BC
;
Wang ZG
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浏览/下载:105/18
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提交时间:2010/03/17
ONE-DIMENSIONAL NANOSTRUCTURES
Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72-77
作者:
Li DB
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
stretched exponential
time-resolved photolummescence
metalorganic vapor phase epitaxy
nitrides
InAlGaN
INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
GAN
DECAY
LUMINESCENCE
SAPPHIRE
DEVICES
SILICON
Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 354-358
作者:
Xu B
;
Jiang DS
;
Wang ZG
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浏览/下载:84/7
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
molecular beam epitaxy
semiconductor III-V materials
laser diodes
1.3 MU-M
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
TEMPERATURE-DEPENDENCE
LASING CHARACTERISTICS
1.3-MU-M
PHOTOLUMINESCENCE
GAIN
Self-assembled InAs and In0.9Al0.1As quantum dots on (001)InP substrates grown by molecular beam epitaxy (MBE)
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 204, 期号: 1-2, 页码: 24-28
作者:
Xu B
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
self-assembled quantum dots
In0.9Al0.1As/InAlAs/InP
molecular beam epitaxy
VISIBLE LUMINESCENCE
ISLANDS
PHOTOLUMINESCENCE
INP
ENSEMBLES
INP(001)
INGAAS
GAAS
RADIATIVE RECOMBINATION
RADIATIVE RECOMBINATION IN N-TYPE AND P-TYPE GAAS COMPENSATED WITH LI
期刊论文
journal of applied physics, 1993, 卷号: 74, 期号: 12, 页码: 7275-7287
GISLASON HP
;
YANG BH
;
PETURSSON J
;
LINNARSSON M
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/15
IMPLANTED GAAS
EMISSION
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