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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Alloy compositional fluctuation in InAlGaN epitaxial films 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2005, 卷号: 80, 期号: 3, 页码: 649-652 Li, DB; Dong, X; Huang, J; Liu, X; Xu, Z; Zhang, Z; Wang, Z 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/03/17 MULTIPLE-QUANTUM WELLS   Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72-77 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  stretched exponential  time-resolved photolummescence  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  InAlGaN  INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  GAN  DECAY  LUMINESCENCE  SAPPHIRE  DEVICES  SILICON   Study of GSMBE growth and characteristics of high-quality strained In0.63Ga0.37As/InP quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 180, 期号: 1, 页码: 22-26 Wang XL; Sun DZ; Kong MY; Hou X; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/17 quantum wells  GSMBE  InGaAs/InP  photoluminescence  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  MULTILAYERS  DEFECTS  DISLOCATIONS  MODULATION  LASERS  SHIFT   GSMBE growth and PL investigation of lattice-matched InGaAs/InP quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 1996, 卷号: 164, 期号: 0, 页码: 281-284 Wang XL; Sun DZ; Kong MY; Hou X; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  LASERS