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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films 会议论文 international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003 Chen WD; Song SF; Zhu JJ; Wang XL; Chen CY; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/15 doping  metalorganic chemical vapor deposition  molecular beam epitaxy  gallium compounds  semiconducting gallium compounds  ERBIUM   Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493 Gao F; Huang DD; Li JP; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：149/5  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  semiconducting gegermanium  semiconducting silicon  bipolar transistors  heterojunction semiconductor devices  POWER   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2010/08/12 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain  SI