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半导体研究所 [25]
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期刊论文 [21]
会议论文 [4]
发表日期
2013 [1]
2011 [3]
2010 [1]
2009 [1]
2007 [2]
2006 [4]
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学科主题
半导体材料 [25]
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共25条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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The effect of magnetic ordering on light emitting intensity of Eu-doped GaN
期刊论文
journal of physics d: applied physics, 2013, 卷号: 46, 期号: 21, 页码: 215101
Yanchen Li, Sheng Yu, Xianquan Meng, Yihe Liu, Yonghe Zhao, Feng qi Liu and Zhanguo Wang
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2014/03/18
Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:
Xu B
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2011/07/05
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
EMISSION
LASERS
WAVELENGTH
EXCITONS
ENERGY
Photorefractive effects in ZnO nanorod doped liquid crystal cell
期刊论文
applied optics, 2011, 卷号: 50, 期号: 8, 页码: 1101-1104
作者:
Guo YB
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浏览/下载:72/7
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提交时间:2011/07/05
HOLOGRAPHIC GRATING FORMATION
LUMINESCENCE
FIELDS
FILMS
Enhanced electroluminescence from ZnO-based heterojunction light-emitting diodes by hydrogen plasma treatment
期刊论文
physica status solidi-rapid research letters, 2011, 卷号: 5, 期号: 2, 页码: 74-76
作者:
You JB
;
Zhang XW
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浏览/下载:49/4
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提交时间:2011/07/05
ZnO
LED
electroluminescence
hydrogen-plasma treatment
Improved electroluminescence from n-ZnO/AlN/p-GaN heterojunction light-emitting diodes
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 20, 页码: art. no. 201102
You JB (You J. B.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Zhang SG (Zhang S. G.)
;
Wang JX (Wang J. X.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Tan HR (Tan H. R.)
;
Zhang WJ (Zhang W. J.)
;
Chu PK (Chu P. K.)
;
Cui B (Cui B.)
;
Wowchak AM (Wowchak A. M.)
;
Dabiran AM (Dabiran A. M.)
;
Chow PP (Chow P. P.)
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浏览/下载:225/45
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提交时间:2010/06/18
ZNO
DEPOSITION
Growth and characterization of GaInNAs by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727
Zhao H
;
Wang SM
;
Zhao QX
;
Sadeghi M
;
Larsson A
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浏览/下载:181/35
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提交时间:2010/03/08
Quantum well
Dilute nitride
Rapid thermal annealing
InGaAs
GaInNAs
Photoluminescence investigation of InAs bimodal self-assembled quantum dots state filling
期刊论文
spectroscopy and spectral analysis, 2007, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 2178-2181
Jia, GZ
;
Yao, JH
;
Zhang, CL
;
Shu, Q
;
Liu, RB
;
Ye, XL
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:60/2
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提交时间:2010/03/08
photoluminescence spectroscopy
quantum dot
bimodal distribution
state-filling
Stability of GaAs photocathodes under different intensities of illumination
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 10, 页码: 6109-6113
Zou JJ (Zou Ji-Jun)
;
Chang BK (Chang Ben-Kang)
;
Yang Z (Yang Zhi)
;
Gao P (Gao Pin)
;
Qiao JL (Qiao Jian-Liang)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Pine)
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/03/29
GaAs photocathode
Characteristic of rapid thermal annealing on GaIn(N)(Sb)As/GaAs quantum well grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: art.no.034903
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:121/0
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提交时间:2010/04/11
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
OPTICAL-PROPERTIES
LASERS
NITROGEN
ORIGIN
Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231
Wu JJ (Wu Jiejun)
;
Han XX (Han Xiuxun)
;
Li JM (Li Jiemin)
;
Wei HY (Wei Hongyuan)
;
Cong GW (Cong Guangwei)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Jia QJ (Jia Quanjie)
;
Guo LP (Guo Liping)
;
Hu TD (Hu Tiandou)
;
Wang HH (Wang Huanhua)
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
in doping
cracks
Si(111) substrate
LT-AlGaN interlayer
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
PHASE EPITAXY
INDIUM-SURFACTANT
OPTICAL-PROPERTIES
SI(111)
STRESS
FILMS
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