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半导体研究所 [106]
内容类型
期刊论文 [92]
会议论文 [14]
发表日期
2011 [3]
2010 [2]
2009 [1]
2008 [2]
2007 [4]
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学科主题
半导体材料 [106]
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学科主题:半导体材料
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Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010
作者:
Yang T
;
Yang XG
;
Wang KF
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浏览/下载:65/2
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提交时间:2011/07/05
HIGH-DENSITY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SELF-FORMATION
LAYERS
WELL
MBE
Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311
作者:
Xu B
;
Zhou GY
;
Ye XL
;
Zhang HY
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浏览/下载:54/5
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提交时间:2011/07/05
SELF-ORGANIZED ISLANDS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACES
EMISSION
DENSITY
SIZE
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
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浏览/下载:90/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in InN films
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 139-143
Liu B
;
Zhang Z
;
Zhang R
;
Fu DY
;
Xie ZL
;
Lu H
;
Schaff WJ
;
Song LH
;
Cui YC
;
Hua XM
;
Han P
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:196/52
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提交时间:2010/04/28
BAND-GAP
TEMPERATURE-DEPENDENCE
ENERGY
SEMICONDUCTORS
SPECTRA
EPITAXY
GROWTH
LAYERS
Different growth mechanisms of bimodal In As/GaAs QDs
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 308-311
作者:
Ye XL
;
Zhou XL
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浏览/下载:42/3
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提交时间:2011/07/05
INAS QUANTUM DOTS
GAAS(001)
RELAXATION
TRANSITION
GAAS
Structural and optical properties of ZnO films on SrTiO3 substrates by MOCVD
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015415
作者:
Jia CH
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浏览/下载:173/14
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提交时间:2010/03/08
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
ZINC-OXIDE
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
SAPPHIRE
SURFACE
GROWTH
Growth of c-oriented ZnO films on (001) SMO3 substrates by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 311, 期号: 1, 页码: 200-204
作者:
Jia CH
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浏览/下载:255/27
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提交时间:2010/03/08
Growth behavior
SrTiO3
MOCVD
ZnO
Effect of Carrier Gas Flux on ZnO Nanorod Arrays Grown by MOCVD
期刊论文
人工晶体学报, 2008, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 1401-1405
作者:
FAN Haibo
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
On the formation of well-aligned ZnO nanowall networks by catalyst-free thermal evaporation method
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 305, 期号: 1, 页码: 296-301
Yin ZG (Yin Zhigang)
;
Chen NF (Chen Nuofu)
;
Dai RX (Dai Ruixuan)
;
Liu L (Liu Lei)
;
Zhang XW (Zhang Xingwang)
;
Wang XH (Wang Xiaohui)
;
Wu JL (Wu Jinliang)
;
Chai CL (Chai Chunlin)
收藏
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/03/29
nanostructures
Vertical PIN ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC homoepilayers
会议论文
33rd international symposium on compound semiconductors, vancouver, canada, aug 13-17, 2006
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
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浏览/下载:89/9
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提交时间:2010/03/29
AVALANCHE PHOTODIODES
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