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科研机构
半导体研究所 [7]
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期刊论文 [6]
会议论文 [1]
发表日期
2017 [1]
2006 [1]
2005 [2]
2001 [1]
2000 [1]
1992 [1]
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学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
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Temperature dependence of photogalvanic effect in GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas at interband and intersubband excitation
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 121, 页码: 193901
作者:
X. L. Zeng
;
J. L. Yu
;
S. Y. Cheng
;
Y. F. Lai, Y. H. Chen
;
W. Huang
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2018/05/23
Research on the band-gap of InN grown on siticon substrates
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Xiao, HL
;
Wang, XL
;
Wang, JX
;
Zhang, NH
;
Liu, HX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:100/15
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提交时间:2010/03/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
WURTZITE INN
NITRIDE
ABSORPTION
ALLOYS
FILMS
Interband and intraband photocurrent of self-assembled InAs/InAlAs/InP nanostructures
期刊论文
nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2785-2789
作者:
Jin P
;
Xu B
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/04/11
DOT INFRARED PHOTODETECTORS
INAS/GAAS QUANTUM DOTS
ROOM-TEMPERATURE
SPECTROSCOPY
PHOTOCONDUCTIVITY
HETEROSTRUCTURES
TRANSITIONS
LASERS
WELLS
INP
High-temperature electron-hole liquid and dynamics of Fermi excitons in a In0.65Al0.35As/Al0.4Ga0.6As quantum dot array
期刊论文
physical review b, 2005, 卷号: 71, 期号: 8, 页码: art.no.085304
Ding, CR
;
Wang, HZ
;
Xu, B
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/03/17
DROPLET FORMATION
Competition between band gap and yellow luminescence in undoped GaN grown by MOVPE on sapphire substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 96-103
Xu HZ
;
Bell A
;
Wang ZG
;
Okada Y
;
Kawabe M
;
Harrison I
;
Foxon CT
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/08/12
gallium nitride
metalorganic vapor-phase epitaxy
photoluminescence
yellow luminescence
N-TYPE GAN
PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY
THIN-FILMS
DOPED GAN
DEEP LEVELS
ORIGIN
PHOTOLUMINESCENCE
DEPENDENCE
VACANCIES
EPITAXY
Temperature and excitation power dependence of the optical properties of InAs self-assembled quantum dots grown between two Al0.5Ga0.5As confining layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 210, 期号: 4, 页码: 451-457
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
InAs quantum dots
molecular beam epitaxy
photoluminescence
LINE-SHAPE
THE ADSORPTION OF O2 ON FESI SURFACES
期刊论文
surface science, 1992, 卷号: 269, 期号: 0, 页码: 1022-1031
HSU CC
;
DING SA
;
MA MS
;
WU JX
;
LIU XM
;
JI MR
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
METAL-SILICIDES
OXIDATION
OXYGEN
GROWTH
TRACER
EELS
XPS
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