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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Crack-free GaN/Si(111) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340 作者:  Li DB;  Wei HY;  Han XX 收藏  |  浏览/下载：61/22  |  提交时间：2010/03/17 cracks   Development of cross-hatch grid morphology and its effect on ordering growth of quantum dots 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 592-596 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/03/17 stress   Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface 会议论文 10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998 Zhang JP; Sun DZ; Li XB; Wang XL; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 STRESS  GROWTH   Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 429-432 Zhang JP; Sun DZ; Li XB; Wang XL; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  hydrogen contaminant  GSMBE  Raman spectrum  GROWTH  STRESS