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科研机构
半导体研究所 [12]
内容类型
期刊论文 [10]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2005 [2]
2003 [1]
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学科主题
半导体材料 [12]
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共12条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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75
80
85
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发表日期升序
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提交时间升序
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Photorefractive effects in ZnO nanorod doped liquid crystal cell
期刊论文
applied optics, 2011, 卷号: 50, 期号: 8, 页码: 1101-1104
作者:
Guo YB
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浏览/下载:71/7
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提交时间:2011/07/05
HOLOGRAPHIC GRATING FORMATION
LUMINESCENCE
FIELDS
FILMS
High Characteristic Temperature 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: art. no. 027801
Ji HM (Ji Hai-Ming)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Xu PF (Xu Peng-Fei)
;
Gu YX (Gu Yong-Xian)
;
Ma
;
WQ (Ma Wen-Quan)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
收藏
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浏览/下载:150/30
  |  
提交时间:2010/04/13
THRESHOLD CURRENT
ROOM-TEMPERATURE
DEPENDENCE
PHOTOLUMINESCENCE
Effect of silver growth temperature on the contacts between Ag and ZnO thin films
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 9, 页码: 2779-2784
作者:
Li XK
收藏
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浏览/下载:90/1
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提交时间:2010/03/08
ZnO
Schottky barrier
interface
MSM structure
High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz
期刊论文
solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929
Wang, XL
;
Chen, TS
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Luo, WJ
;
Tang, J
;
Guo, LC
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:77/1
  |  
提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMTs
SiC
power
RF-MBE Grown AlGaN/GaN HEMT Structure with High Al Content
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1116-1120
作者:
Liu Jian
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Improved DC and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs grown by MOCVD on sapphire substrates
期刊论文
solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 8, 页码: 1387-1390
Wang XL
;
Wang CM
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Chen TS
;
Jiao G
;
Li JP
;
Zeng YP
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:94/18
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提交时间:2010/03/17
HEMT
Structural and photoluminescent properties of ternary Zn1-xCdxO crystal films grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 1-2, 页码: 78-82
Ye ZZ
;
Ma DW
;
He JH
;
Huang JY
;
Zhao BH
;
Luo XD
;
Xu ZY
收藏
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浏览/下载:487/1
  |  
提交时间:2010/08/12
characterization
crystal structure
DC sputtering
alloys
zinc compounds
semiconducting II-VI materials
THIN-FILMS
ROOM-TEMPERATURE
ULTRAVIOLET-LASER
SPRAY-PYROLYSIS
ZNO
MGXZN1-XO
EMISSION
ALLOY
The structure and current-voltage characteristics of multi-sheet InGaN quantum dots grown by a new multi-step method
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 19-24
Chen Z
;
Lu DC
;
Han P
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Li YF
;
Yuan HR
;
Lu Y
;
Bing LD
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Wang XF
;
Yan L
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
SELF-ORGANIZED GROWTH
EPITAXIAL-GROWTH
GAAS
GAN
PHOTOLUMINESCENCE
SURFACTANT
ALGAAS
WIRE
Current-induced migration of surface adatoms during GaN growth by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 376-380
Zheng LX
;
Xie MH
;
Xu SJ
;
Cheung SH
;
Tong SY
收藏
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浏览/下载:81/5
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提交时间:2010/08/12
surface processes
molecular beam epitaxy
nitrides
semiconducting gallium compounds
GAN(0001) SURFACES
RECONSTRUCTIONS
Current-induced migration of surface adatoms during GaN growth by molecular beam epitaxy
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Zheng LX
;
Xie MH
;
Xu SJ
;
Cheung SH
;
Tong SY
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
surface processes
molecular beam epitaxy
nitrides
semiconducting gallium compounds
GAN(0001) SURFACES
RECONSTRUCTIONS
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