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科研机构
半导体研究所 [5]
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期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2003 [2]
2002 [2]
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
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Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218
Dong HW
;
Zhao YW
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/08/12
semi-insulating InP
ion implantation
silicon
annealing
activation
SI+-IMPLANTATION
PHOSPHIDE VAPOR
UNDOPED INP
FE
WAFERS
UNIFORMITY
PRESSURE
Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7
Dong ZY
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Jiao JH
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:353/16
  |  
提交时间:2010/08/12
annealing
defects
etching
semiconducting indium phosphide
FE-DOPED INP
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
DEFECTS
DIFFUSION
CRYSTALS
WAFERS
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers
会议论文
9th international conference on defects: recognition, imaging and physics in semiconductors (drip ix), rimini, italy, sep 24-28, 2001
Zhao YW
;
Sun NF
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Sun TN
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/11/15
indium phosphide
semi-insulating
annealing
PICTS
photoluminescence
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
FE
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 期号: 0, 页码: 521-524
Zhao YW
;
Sun NF
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Sun TN
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:82/19
  |  
提交时间:2010/08/12
indium phosphide
semi-insulating
annealing
PICTS
photoluminescence
SEMIINSULATING INP
INDIUM-PHOSPHIDE
FE
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
Formation of InAs quantum dots on low-temperature GaAs epi-layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 209-213
Wang XD
;
Niu ZC
;
Wang H
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2010/08/12
quantum dot
low-temperature GaAs
As precipitates
annealing
TEM
PL
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ISLANDS
GROWTH
SURFACES
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