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科研机构
半导体研究所 [42]
内容类型
期刊论文 [34]
会议论文 [8]
发表日期
2011 [4]
2007 [1]
2006 [3]
2004 [3]
2003 [4]
2002 [9]
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学科主题
半导体材料 [42]
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学科主题:半导体材料
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发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
InP-based deep-ridge NPN transistor laser
期刊论文
optics letters, 2011, 卷号: 36, 期号: 16, 页码: 3206-3208
Liang S
;
Kong DH
;
Zhu HL
;
Zhao LJ
;
Pan JQ
;
Wang W
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2011/09/14
OPERATION
EPITAXY
GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer
期刊论文
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585
作者:
Wei HY
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:63/4
  |  
提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SI(001) SUBSTRATE
STRAIN
EPITAXY
Numerical study of strained InGaAs quantum well lasers emitting at 2.33 mu m using the eight-band model
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 77301
Wang M
;
Gu YX
;
Ji HM
;
Yang T
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2012/02/06
EPITAXY
MOVPE
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan X
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浏览/下载:81/5
  |  
提交时间:2011/07/05
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
WURTZITE ALN
SILICON
STRESS
TRANSISTORS
EPITAXY
LAYERS
High responsivity ultraviolet photodetector based on crack-free GaN on Si (111)
会议论文
33rd international symposium on compound semiconductors, vancouver, canada, aug 13-17, 2006
Wang, XY (Wang, Xiaoyan)
;
Wang, XL (Wang, Xiaoliang)
;
Wang, BZ (Wang, Baozhu)
;
Xiao, HL (Xiao, Hongling)
;
Liu, HX (Liu, Hongxin)
;
Wang, JX (Wang, Junxi)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
收藏
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浏览/下载:125/38
  |  
提交时间:2010/03/29
BUFFER LAYER
STRESS
PHOTODIODES
REDUCTION
DETECTORS
SAPPHIRE
EPITAXY
GROWTH
Synthesis and photoluminescence properties of vertically aligned ZnO nanorod-nanowall junction arrays on a ZnO-coated silicon substrate
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 15, 页码: 3740-3744
Li C (Li Chun)
;
Fang GJ (Fang Guojia)
;
Su FH (Su Fuhai)
;
Li GH (Li Guohua)
;
Wu XG (Wu Xiaoguang)
;
Zhao XZ (Zhao Xingzhong)
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
TEMPERATURE-DEPENDENT PHOTOLUMINESCENCE
OPTICAL-PROPERTIES
ZINC-OXIDE
THIN-FILMS
VAPOR-DEPOSITION
SI SUBSTRATE
NANOWIRES
GROWTH
EMISSION
EPITAXY
Synthesis and structures of morphology-controlled ZnO nano- and microcrystals
期刊论文
crystal growth & design, 2006, 卷号: 6, 期号: 6, 页码: 1518-1522
Peng WQ
;
Qu SC
;
Cong GW
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/04/11
ROOM-TEMPERATURE
ZINC-OXIDE
LARGE-AREA
GROWTH
NANORODS
ARRAY
PHOTOLUMINESCENCE
NANOSTRUCTURES
EPITAXY
ROUTE
High-quality multiple quantum wells selectively grown with tapered masks by ultra-low-pressure MOCVD
期刊论文
optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 8-9, 页码: 1037-1040
作者:
Pan JQ
收藏
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/04/11
selective-area growth
ultra-low-pressure
metal-organic chemical vapor deposition
tapered mask
photoluminescence
BANDGAP ENERGY CONTROL
INTEGRATED DFB LASER
EPITAXY
Extremely low density InAs quantum dots realized in situ on (100) GaAs
期刊论文
nanotechnology, 2004, 卷号: 15, 期号: 12, 页码: 1763-1766
Sun, J
;
Jin, P
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2010/03/17
EPITAXY
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
期刊论文
micron, 2004, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 475-480
Luo, XH
;
Wang, RM
;
Zhang, XP
;
Zhang, HZ
;
Yu, DP
;
Luo, MC
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浏览/下载:145/32
  |  
提交时间:2010/03/09
transmission electron microscopy
electron energy loss spectroscopy
molecular beam epitaxy
gallium nitride
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
EPITAXY
LAYER
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