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半导体研究所 [8]

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半导体材料 [8]

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限定条件	学科主题：半导体材料

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	Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519 Yu JL; Chen YH; Jiang CY; Liu Y; Ma H 收藏 \| 浏览/下载：36/4 \| 提交时间：2011/07/05 MOLECULAR-BEAM EPITAXY INVERSION ASYMMETRY HETEROSTRUCTURES SEGREGATION INTERFACE
	Strain-induced in-plane optical anisotropy in (001) GaAs/AlGaAs superlattice studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 11, 页码: art.no.113122 作者: Ye XL 收藏 \| 浏览/下载：22/0 \| 提交时间：2010/03/29 MULTIPLE-QUANTUM WELLS
	Temperature-induced switching-over of the luminescence transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells 期刊论文 chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 548-551 Bian LF; Jiang D; Liang XG; Lu SL 收藏 \| 浏览/下载：41/18 \| 提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY
	Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 354-358 作者: Xu B; Jiang DS; Wang ZG 收藏 \| 浏览/下载：84/7 \| 提交时间：2010/08/12 nanostructures molecular beam epitaxy semiconductor III-V materials laser diodes 1.3 MU-M CONTINUOUS-WAVE OPERATION TEMPERATURE-DEPENDENCE LASING CHARACTERISTICS 1.3-MU-M PHOTOLUMINESCENCE GAIN
	Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：45/0 \| 提交时间：2010/08/12 low dimensional structures strain molecular beam epitaxy quantum dots ELECTRONIC-STRUCTURE PHOTOLUMINESCENCE INTERDIFFUSION TRANSITIONS SPECTRA
	Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 501-505 作者: Jiang DS 收藏 \| 浏览/下载：147/24 \| 提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy quantum wells semiconducting IIIV materials LUMINESCENCE GAASN
	Photoluminescence of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with different thickness of spacer layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 4, 页码: 520-524 Cao X; Zeng YP; Kong MY; Pan LA; Wang BQ; Zhu ZP; Wang XG; Chang Y; Chu JH 收藏 \| 浏览/下载：134/8 \| 提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy semiconducting III-V materials high electron mobility transistors ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR CARRIER DENSITY QUANTUM-WELLS BAND-GAP
	OPTICAL CHARACTERISTICS OF GAAS/ALGAAS RIDGE-QUANTUM-WELL-WIRES GROWN BY MBE ON NONPLANAR SUBSTRATES 期刊论文 solid state communications, 1993, 卷号: 87, 期号: 4, 页码: 285-288 QIAN Y; CHEN LH; WANG QM 收藏 \| 浏览/下载：32/0 \| 提交时间：2010/11/15 MOLECULAR-BEAM EPITAXY HETEROSTRUCTURES LASERS

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