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科研机构
半导体研究所 [10]
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期刊论文 [10]
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2011 [2]
2010 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2005 [2]
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学科主题
半导体材料 [10]
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学科主题:半导体材料
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Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhao JZ
;
Cao ZF
;
Meng LG
;
Luan CB
;
Wang ZG
;
Chen H
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浏览/下载:65/6
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GAN
DEPENDENCE
CONTACTS
STATES
NI
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105
Lu YJ
;
Lin ZJ
;
Zhang Y
;
Meng LG
;
Cao ZF
;
Luan CB
;
Chen H
;
Wang ZG
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浏览/下载:57/2
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提交时间:2011/07/05
AlGaN/GaN heterostructures
thermal stressing
polarization
self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
POLARIZATION
STABILITY
CHARGE
GAN
Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044504
Li YB (Li Yanbo)
;
Zhang Y (Zhang Yang)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
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浏览/下载:213/46
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提交时间:2010/10/11
INAS/ALSB QUANTUM-WELLS
LOW-POWER APPLICATIONS
HEMTS
MODULATION
HETEROSTRUCTURES
TECHNOLOGY
CHANNEL
VOLTAGE
MASS
Determination of the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 3980-3984
Zhao JZ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhang Y
;
Lu YJ
;
Lu W
;
Wang ZG
;
Chen H
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浏览/下载:95/25
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提交时间:2010/03/08
relative permittivity
AlGaN barrier layer
AlGaN/GaN heterostructures
The influence of 1 nm AlN interlayer on properties of the Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781
Guo, LC
;
Wang, XL
;
Wang, CM
;
Mao, HL
;
Ran, JX
;
Luo, WJ
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Fang, CB
;
Hu, GX
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浏览/下载:94/1
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提交时间:2010/03/08
GaN
HEMT
2DEG
mobility
polarization
双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究
期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4143-4147
周文政
;
林铁
;
商丽燕
;
黄志明
;
朱博
;
崔利杰
;
高宏玲
;
李东临
;
郭少令
;
桂永胜
;
褚君浩
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
Theoretical analysis of gate voltage-controlled subband states in an AlxGa1-xN/GaN heterostructure
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 230-236
Han, XX
;
Li, JM
;
Wu, JJ
;
Cong, GW
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:39/16
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提交时间:2010/03/17
two-dimensional electron gas
Photoluminescence investigation of two-dimensional electron gas in an undoped AlxGa1-xN/GaN heterostructure
期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 2096-2099
Han, XX
;
Wu, JJ
;
Li, JM
;
Cong, GW
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:45/17
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提交时间:2010/03/17
DISLOCATION SCATTERING
Effect of spontaneous and piezoelectric polarization on intersubband transition in AlxGa1-xN-GaN quantum well
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2004, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 2568-2573
Li, JM
;
Lu, YW
;
Li, DB
;
Han, XX
;
Zhu, QS
;
Liu, XL
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/03/17
RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY
Dislocation scattering in a two-dimensional electron gas of an AlxGa1-xN/GaN heterostructure
期刊论文
physica status solidi b-basic research, 2004, 卷号: 241, 期号: 13, 页码: 3000-3008
作者:
Han XX
;
Li DB
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提交时间:2010/03/09
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
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