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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth of a periodic InP-based heteroepitaxial structure for a quantum cascade laser 期刊论文 materials letters, 2005, 卷号: 59, 期号: 22, 页码: 2755-2758 Guo, Y; Liu, FQ; Liu, JQ; Li, CM; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：68/46  |  提交时间：2010/03/17 heteroepitaxial structure   1.35 mu m photoluminescence from In0.5Ga0.5As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy via cycled (InAs)(1)/(GaAs)(1) monolayer deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 1-2, 页码: 16-22 Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 MBE  AFM  PL  quantum islands  InGaAs/GaAs  strain  QUANTUM DOTS  ROOM-TEMPERATURE  GAAS  LUMINESCENCE   HIGH-QUALITY INGAP AND INGAP/INALP MULTIPLE-QUANTUM-WELL GROWN BY GAS-SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY 期刊论文 journal of crystal growth, 1994, 卷号: 136, 期号: 0, 页码: 306-309 YAN CH; SUN DZ; GUO HX; LI XB; ZU SR; HUANG YH; ZHENG YP; KONG MY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 DOUBLE-HETEROSTRUCTURE