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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of a step quantum well structure and an electric-field on the Rashba spin splitting 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 11-14 作者:  Hao Guodong;  Chen Yonghai 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer 期刊论文 journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706 作者:  Ye XL;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/04/11 GAAS  SPECTROSCOPY  PARAMETERS  TRANSPORT  LASERS  ENERGY  STATES  HOLE   X-ray double-crystal characterization of the strain relaxation in GaAs/GaNxAs1-x/GaAs(001) sandwiched structures 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 1-2, 页码: 26-32 Pan Z; Wang YT; Li LH; Zhang W; Lin YW; Zhou ZQ; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 x-ray diffraction  strain relaxation  GaNxAs1-x/GaAs  photoluminescence  RHEED  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TEMPERATURE PULSED OPERATION  BAND-GAP ENERGY  NITROGEN  GAASN  GANXAS1-X  GAAS1-XNX  ALLOYS  LASERS  LAYERS   THE DEPENDENCE OF THE INVERSION LAYER THICKNESS ON THE FILM THICKNESS IN THIN-FILM SOI STRUCTURES 期刊论文 chinese physics, 1991, 卷号: 11, 期号: 3, 页码: 716-719 XIA YW; WANG SW 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 MOSFETS  REDUCTION