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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2011 [1]
2006 [2]
2003 [2]
2001 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
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Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
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提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Hydrogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2006, 卷号: 352, 期号: 9-20, 页码: 1900-1903
Hu ZH (Hu Zhihua)
;
Liao XB (Liao Xianbo)
;
Diao HW (Diao Hongwei)
;
Cai Y (Cai Yi)
;
Zhang SB (Zhang Shibin)
;
Fortunato E (Fortunato Elvira)
;
Martins R (Martins Rodrigo)
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2010/04/11
silicon
solar cells
photovoltaics
Raman scattering
MICROCRYSTALLINE SILICON
SI NANOCRYSTALS
VOLUME FRACTION
RAMAN
CRYSTALLINITY
FILMS
Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer
期刊论文
journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706
作者:
Ye XL
;
Xu B
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:90/0
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提交时间:2010/04/11
GAAS
SPECTROSCOPY
PARAMETERS
TRANSPORT
LASERS
ENERGY
STATES
HOLE
Effects of the sulfur pressure on pyrite FeS2 films prepared by sulfurizing thermally iron films
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 286-292
Wan DY
;
Wang BY
;
Wang YT
;
Sun H
;
Zhang RG
;
Wei L
收藏
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浏览/下载:327/6
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提交时间:2010/08/12
crystallization
sulfidation
iron pyrite films
semiconducting materials
solar cells
THIN-FILMS
ATMOSPHERE
Effects of the crystal structure on electrical and optical properties of pyrite FeS2 films prepared by thermally sulfurizing iron films
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 230-238
Wan DY
;
Wang YT
;
Wang BY
;
Ma CX
;
Sun H
;
Wei L
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/08/12
crystal structure
sulfidation of iron films
iron pyrite films
semiconducting materials
solar cells
THIN-FILMS
ELECTRODEPOSITION
ATMOSPHERE
PRESSURE
Hydrogenated amorphous silicon films with significantly improved stability
期刊论文
solar energy materials and solar cells, 2001, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 123-133
Sheng SR
;
Liao XB
;
Ma ZX
;
Yue GZ
;
Wang YQ
;
Kong GL
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/08/12
amorphous silicon
stability
A-SI-H
CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD
PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY
URBACH EDGE
SOLAR-CELLS
GAP STATES
ABSORPTION
DENSITY
SPECTROSCOPY
INCREASE
Identification of induced reaction during XPS depth profile measurements of CeO2/Si films grown by ion beam epitaxy
期刊论文
vacuum, 1998, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 133-137
Wu Z
;
Huang D
;
Yang X
;
Wang J
;
Qin F
;
Zhang J
;
Yang Z
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提交时间:2010/08/12
SPECTROSCOPY
ENERGY
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