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半导体研究所 [40]
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期刊论文 [29]
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发表日期
2011 [1]
2010 [2]
2009 [4]
2008 [3]
2007 [2]
2006 [4]
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学科主题
半导体材料 [40]
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学科主题:半导体材料
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The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者:
Song HP
;
Shi K
;
Sang L
;
Wei HY
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浏览/下载:58/3
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提交时间:2011/07/05
Metal organic chemical vapor deposition
Sapphire
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
VAPOR-PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
ZNO NANORODS
RAMAN-SCATTERING
M-PLANE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
NANOWIRES
FIELDS
Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth of Semipolar, 10(1)over-bar(3)over-barGaN on Patterned m-Plane Sapphire
期刊论文
journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: h721-h726
Wei TB (Wei T. B.)
;
Hu Q (Hu Q.)
;
Duan RF (Duan R. F.)
;
Wei XC (Wei X. C.)
;
Yang JK (Yang J. K.)
;
Wang JX (Wang J. X.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Wang GH (Wang G. H.)
;
Li JM (Li J. M.)
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浏览/下载:292/52
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提交时间:2010/06/18
atomic force microscopy
Effects of annealing treatment on the formation of CO2 in ZnO thin films grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 8, 页码: 2606-2610
作者:
Wei HY
;
Jia CH
;
Jiao CM
;
Song HP
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浏览/下载:156/40
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提交时间:2010/04/04
ZnO
Metal-organic chemical vapor deposition
Infrared absorption
Surface
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
POLAR-SURFACE
EPITAXY
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/03/09
in-situ doping
boron
aluminum
memory effects
hot-wall LPCVD
4H-SiC
Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157
作者:
Wei TB
;
Wei XC
;
Duan RF
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浏览/下载:84/6
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提交时间:2010/03/08
HRXRD
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Semipolar
Effect of silver growth temperature on the contacts between Ag and ZnO thin films
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 9, 页码: 2779-2784
作者:
Li XK
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浏览/下载:90/1
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提交时间:2010/03/08
ZnO
Schottky barrier
interface
MSM structure
Epitaxial growth on 4H-SiC by TCS as a silicon precursor
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 21-25
作者:
Liu Xingfang
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/11/23
The effects of substrate temperature on the structure and properties of ZnO films prepared by pulsed laser deposition
期刊论文
vacuum, 2008, 卷号: 82, 期号: 5, 页码: 495-500
Zhu, BL
;
Sun, XH
;
Zha, XZ
;
Su, FH
;
Li, GH
;
Wu, XG
;
Wu, J
;
Wu, R
;
Liu, J
收藏
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浏览/下载:46/1
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提交时间:2010/03/08
PLD
ZnO films
substrate temperature
crystal quality
grain size
optical properties
Growth of c-oriented ZnO films on (001) SMO3 substrates by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 311, 期号: 1, 页码: 200-204
作者:
Jia CH
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浏览/下载:254/27
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提交时间:2010/03/08
Growth behavior
SrTiO3
MOCVD
ZnO
High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Ji, G
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/09
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