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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2002 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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Broadband tunable external cavity laser using a bent-waveguide quantum-dot superluminescent diode as gain device
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 064202
作者:
Jin P
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浏览/下载:45/4
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提交时间:2011/07/15
LIGHT-EMITTING-DIODES
OPTICAL-PROPERTIES
TUNING RANGE
NM
EMISSION
SPECTRUM
SPECTROSCOPY
Blue-shift photoluminescence from porous InAlAs
期刊论文
semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: art. no. 115006
Jiang YC (Jiang Y. C.)
;
Liu FQ (Liu F. Q.)
;
Wang LJ (Wang L. J.)
;
Yin W (Yin W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:51/0
  |  
提交时间:2010/12/28
MACROPOROUS SILICON
PORE FORMATION
GAP
INP
AL0.48IN0.52AS
NANOSTRUCTURES
MORPHOLOGY
Impact of wide bandgap p-type nc-Si on the performance of a-Si solar cells
会议论文
international conference on material for advanced technologies, singapore, singapore, jul 01-06, 2001
Deng X
;
Wang W
;
Han S
;
Povolny H
;
Du W
;
Liao X
;
Xiang X
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  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/11/15
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