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科研机构
半导体研究所 [8]
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会议论文 [1]
发表日期
2014 [1]
2010 [1]
2006 [1]
2005 [1]
2000 [1]
1998 [1]
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学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
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Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 115, 期号: 4, 页码: 043702
Jin, DD
;
Wang, LS
;
Yang, SY
;
Zhang, LW
;
Li, HJ
;
Zhang, H
;
Wang, JX
;
Xiang, RF
;
Wei, HY
;
Jiao, CM
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/03/20
Evaluating the effect of dislocation on the photovoltaic performance of metamorphic tandem solar cells
期刊论文
science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 9, 页码: 2569-2574
Zhang H (Zhang Han)
;
Chen NF (Chen NuoFu)
;
Wang Y (Wang Yu)
;
Zhang XW (Zhang XingWang)
;
Yin ZG (Yin ZhiGang)
;
Shi HW (Shi HuiWei)
;
Wang YS (Wang YanSuo)
;
Huang TM (Huang TianMao)
;
Bai YM (Bai YiMing)
;
Fu Z (Fu Zhen)
收藏
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浏览/下载:250/25
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提交时间:2010/09/07
tandem solar cell
theoretical efficiency
dislocation
buffer layers
Influence of dislocation stress field on distribution of quantum dots
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 130-133
作者:
Xu B
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/04/11
stress
surface structure
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
STRAIN
THICKNESS
Effect of misfit dislocation originated from strained layer on photoluminescence properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 971-974
作者:
Li DB
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/03/17
OPTICAL-PROPERTIES
Defects and morphologies in In0.8Ga0.2As/InAlAs/InP(001) for high electron-mobility transistors
期刊论文
defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 147-152
Wu J
;
Lin F
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/08/12
In0.8Ga0.2As/InAlAs/InP
misfit dislocations
surface morphology
GROWTH
RELAXATION
SUBSTRATE
CIRCUITS
Dislocations in InAs epilayers grown by MBE on GaAs substrates under various conditions
会议论文
symposium on electron microscopy of semiconducting materials and ulsi devices at the spring materials-research-society meeting, san francisco, ca, apr 15-16, 1998
Wang HM
;
Zeng YP
;
Pan L
;
Zhou HW
;
Zhu ZP
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/10/29
Growth of high-quality relaxed In0.3Ga0.7As/GaAs superlattices
期刊论文
journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 3, 页码: 297-300
Pan D
;
Zeng YP
;
Wu J
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/17
MBE growth
strained superlattice
EPITAXIAL MULTILAYERS
MISFIT DISLOCATIONS
LAYERS
RELAXATION
DEFECTS
STRAIN
FILMS
BREAKING UP OF MISFIT DISLOCATIONS IN GAASIN0.3GA0.7AS/GAAS HETEROSTRUCTURE
期刊论文
applied physics letters, 1995, 卷号: 67, 期号: 6, 页码: 846-847
WU J
;
LI W
;
FAN TW
;
WANG ZG
;
DUAN XF
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/17
RELAXATION
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