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半导体研究所 [29]
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期刊论文 [25]
会议论文 [4]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2007 [1]
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学科主题
半导体材料 [29]
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学科主题:半导体材料
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Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan X
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浏览/下载:81/5
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提交时间:2011/07/05
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
WURTZITE ALN
SILICON
STRESS
TRANSISTORS
EPITAXY
LAYERS
Correlation Between Lattice Strain and Energy Gap Bowing of AlxGa1-xN Epitaxial Thin Films
会议论文
international materials research conference, chongqing, peoples r china, jun 09-12, 2008
作者:
Sun BJ
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/03/09
AlxGa1-xN
Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111)
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299
Wu, JJ
;
Zhao, LB
;
Zhang, GY
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Jia, QJ
;
Guo, LP
;
Hu, TD
收藏
  |  
浏览/下载:68/3
  |  
提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
TEMPERATURE ALN INTERLAYERS
PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACTANT
SUBSTRATE
STRESS
SI
REDUCTION
SAPPHIRE
Band gap narrowing in heavily B doped Si1-xGex strained layers
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 11, 页码: 6654-6659
Yao F (Yao Fei)
;
Xue CL (Xue Chun-Lai)
;
Cheng BW (Cheng Bu-Wen)
;
Wang QM (Wang Qi-Ming)
收藏
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浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/03/29
SiGe layer
Molecular beam epitaxy InAs dot arrays on InGaAs/GaAs
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850
Jiao YH (Jiao Y. H.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Hu LJ (Hu L. J.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Ren YY (Ren Y. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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  |  
浏览/下载:105/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
QUANTUM-DOTS
SELF-ORGANIZATION
ISLANDS
NANOSTRUCTURES
SUPERLATTICES
GROWTH
SURFACE
GAAS(100)
Self-organized superlattices along the [001] growth direction in In0.52Al0.48As layers grown on nominally (001) InP substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
superlattices and microstructures, 2005, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 151-160
Wang YL
;
Chen YH
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Zeng YP
收藏
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浏览/下载:86/21
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提交时间:2010/03/17
composition modulation
Structural and optical properties of InAs/In0.52Al0.48As self-assembled quantum wires on InP(001)
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 284, 期号: 3-4, 页码: 306-312
Wang YL
;
Chen YH
;
Wu J
;
Lei W
;
Wang ZG
;
Zeng YP
收藏
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浏览/下载:124/70
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提交时间:2010/03/17
high-resolution transmission electron microscopy
Effect of Silicon-on-Insulator Substrate on Residual Strain in 3C-SiC Films
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1681-1687
Wang Xiaofeng
;
Huang Fengyi
;
Sun Guosheng
;
Wang Lei
;
Zhao Wanshun
;
Zeng Yiping
;
Li Haiou
;
Duan Xiaofeng
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/11/23
Characterization of InAs quantum dots on lattice-matched InAlGaAs/InP superlattice structures
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 364-369
Huang XQ
;
Liu FQ
;
Che XL
;
Liu JQ
;
Lei W
;
Wang ZG
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浏览/下载:215/29
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提交时间:2010/03/09
nanostructures
Method for measurement of lattice parameter of cubic GaN layers on GaAs (001)
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 345-348
Zheng XH
;
Wang YT
;
Feng ZH
;
Yang H
;
Chen H
;
Zhou JM
;
Liang JW
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
in-plane strain
lattice parameters
triple-axis diffraction
c-GaN
GROWTH
FILMS
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